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龙图腾网获悉徐州鑫晶半导体科技有限公司申请的专利加料管、单晶生长设备及其加料方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114561689B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210149269.0，技术领域涉及：C30B15/02；该发明授权加料管、单晶生长设备及其加料方法是由陈俊宏;邢微波设计研发完成，并于2022-02-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本加料管、单晶生长设备及其加料方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种加料管、单晶生长设备及其加料方法，所述加料管用于单晶生长设备，所述单晶生长设备包括：坩埚和所述加料管，所述坩埚适于盛放硅熔汤，所述加料管包括：管本体，所述管本体限定出输料通道和多个用于储放硅原料的储料腔，多个所述储料腔均和所述输料通道连通，所述输料通道适于将多个所述储料腔内的硅原料投放至所述坩埚；开关组件，所述开关组件适于分别控制多个所述储料腔与所述输料通道的通断。根据本发明的加料管，更容易控制硅原料的投放量，也可以防止硅原料进入硅熔汤时造成的高温硅熔汤的飞溅，从而提升了单晶生长设备运行的安全性和可靠性。

本发明授权加料管、单晶生长设备及其加料方法在权利要求书中公布了：1.一种加料管，用于单晶生长设备，其特征在于，所述单晶生长设备包括：坩埚和所述加料管，所述坩埚适于盛放硅熔汤，所述加料管包括： 管本体，所述管本体限定出输料通道和多个用于储放硅原料的储料腔，多个所述储料腔均和所述输料通道连通，所述输料通道适于将多个所述储料腔内的硅原料投放至所述坩埚，所述管本体包括外管、内管和多个隔板，所述内管位于所述外管的内侧，所述内管限定出所述输料通道，多个所述隔板间隔设于所述外管与所述内管之间，多个所述隔板与所述外管以及所述内管共同限定出多个所述储料腔，所述内管上形成有与多个所述储料腔一一对应的多个连通口，所述连通口连通所述储料腔和所述输料通道，所述连通口位于所述储料腔的邻近底端的位置； 开关组件，所述开关组件适于打开或关闭多个所述连通口以分别控制多个所述储料腔与所述输料通道的通断，所述开关组件包括多个开关门，多个所述开关门与多个所述连通口一一对应且适配，所述开关门沿所述内管的轴向且远离所述坩埚的一端与所述内管枢转连接； 导向盖，所述导向盖适于封堵所述输料通道的邻近所述坩埚的一端，所述导向盖适于沿所述管本体的轴向在第一位置和第二位置之间移动，在沿所述管本体的轴向且远离所述管本体的方向上，所述导向盖的至少部分沿径向向外倾斜延伸形成导向面，所述导向盖的直径大于所述输料通道的直径，所述导向盖在所述第一位置时，所述导向面封堵所述输料通道，所述输料通道被关闭，所述导向盖在所述第二位置时，所述导向面与所述管本体沿轴向间隔开，所述输料通道被打开，所述储料腔内的硅原料适于通过所述输料通道且沿所述导向面输送至所述坩埚。

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