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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利用于静电放电保护的MOS器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114566465B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210185905.5，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权用于静电放电保护的MOS器件及其制备方法是由范炜盛设计研发完成，并于2022-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于静电放电保护的MOS器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种用于静电放电保护的MOS器件及其制备方法，其中方法包括：利用第一光罩在所述低压器件区中形成第一轻掺杂漏区，其中，在所述第一轻掺杂漏区之间形成第一窗口；利用第二光罩在所述高压器件区中、所述低压器件区中形成第二轻掺杂漏区。本申请利用第一光罩形成图案化的第一轻掺杂漏区，然后再在第一窗口中形成第二轻掺杂漏区，最后在第一轻掺杂漏区和第二轻掺杂漏区上形成第一漏端，这样可以直接在形成第一轻掺杂漏区和第二轻掺杂漏区的同时形成第一漏端底部的ESD离子注入区，从而在不额外增加第一漏端底部的ESD离子注入工序的同时，节省了MOS器件的制造成本，也降低了器件的触发电压，提高了器件的鲁棒性。

本发明授权用于静电放电保护的MOS器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于静电放电保护的MOS器件的制备方法，其特征在于，所述MOS器件包括：高压器件区和低压器件区，所述用于静电放电保护的MOS器件的制备方法包括： 提供一衬底，所述衬底中形成有多个间隔设置的浅沟槽隔离结构，所述低压器件区和所述高压器件区经所述浅沟槽隔离结构隔离开来，所述低压器件区的衬底中形成有第一阱区，所述高压器件区的衬底中形成有第二阱区； 在所述低压器件区的第一阱区表面以及所述高压器件的第二阱区表面均形成两个间隔设置的栅极； 利用第一光罩对所述衬底进行离子注入工艺，以在所述低压器件区的栅极两侧的第一阱区中形成第一轻掺杂漏区，其中，所述低压器件区的相邻的两个栅极之间的所述第一轻掺杂漏区之间形成第一窗口； 利用第二光罩对所述衬底进行离子注入工艺，以在所述高压器件区的栅极两侧的第二阱区中、所述低压器件区的第一窗口位置的第一阱区中形成第二轻掺杂漏区； 对所述衬底进行离子注入工艺以在所述低压器件区的第一阱区中形成第一源端、第一漏端以及在所述高压器件区的第二阱区中形成第一重掺杂区，其中，所述第一漏端覆盖掉两个栅极之间的部分所述第一轻掺杂漏区和部分所述第二轻掺杂漏区；以及， 对所述衬底进行离子注入工艺以在所述低压器件区的第一阱区中形成第二重掺杂区以及在所述高压器件区的第二轻掺杂漏区中形成第二源端、第二漏端。

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