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龙图腾网获悉电光-IC股份有限公司申请的专利垂直集成电吸收调制激光器和制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114641906B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080077012.8，技术领域涉及：H01S5/026；该发明授权垂直集成电吸收调制激光器和制造方法是由戈德蒙·A·哈尔特森;威廉·A·哈格利设计研发完成，并于2020-11-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本垂直集成电吸收调制激光器和制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了单片集成电吸收调制激光器EML和制造方法。用于分布反馈DFB激光器、电吸收调制器EAM和无源输出波导的垂直堆叠波导垂直集成，所述DFB激光器、EAM和输出波导使用横向锥形垂直光学耦合器进行光学耦合。使用横向锥形垂直光耦合器的垂直集成为激光器和EAM的传统对接耦合提供了替代方案，有可能在延长寿命的情况下提高高功率运行的可靠性。可选地，所述EML包括单片集成电子电路，例如所述DFB激光器和EAM的驱动和控制电子设备。有利的是，集成EAM驱动和控制电路包括高速电光控制回路，用于非常高速的线性化和温度补偿，例如，为模拟光数据中心互连应用启用先进的调制方案，如PAM‑4和DP‑QPSK。一些实施例与使用单一外延生长的制造兼容。

本发明授权垂直集成电吸收调制激光器和制造方法在权利要求书中公布了：1.一种单片集成电吸收调制激光器EML，包括： 半绝缘SI衬底； 外延层结构，包括生长在所述半绝缘衬底上的多个半导体层； 所述外延层结构限定了多个垂直堆叠的光波导，其中： 第一级波导包括结构为输出波导的层； 第二级波导包括结构为电吸收调制器EAM波导的层； 第三级波导包括结构为分布反馈DFB激光波导的层； 所述第三级波导的层被图案化以限定激光台面，包括具有表面蚀刻光栅SEG的分布反馈DFB激光腔和从所述分布反馈DFB激光腔的光学输出延伸的第一横向锥形垂直光耦合器； 所述第二级波导的层被图案化以限定所述电吸收调制器EAM的台面，以及从所述电吸收调制器EAM的光输出延伸的第二横向锥形垂直光耦合器； 所述第一级波导的层被图案化以提供输出波导； 所述分布反馈DFB激光腔沿光传播方向与所述电吸收调制器EAM横向隔开，所述第一横向锥形垂直光耦合器被构造成将来自分布反馈DFB激光器的发射光模式耦合到所述电吸收调制器EAM的输入； 所述第二横向锥形垂直光耦合器被构造成将来自所述电吸收调制器EAM的调制输出垂直耦合到输出波导；以及 第一电连接至所述分布反馈DFB激光器，用于在连续波模式下操作所述分布反馈DFB激光器；第二电连接至所述电吸收调制器EAM，并用于驱动所述电吸收调制器EAM； 其中，所述外延层结构在所述半绝缘衬底和所述多个垂直堆叠的光波导之间设有附加层，所述附加层包括用于形成至少用于所述电吸收调制器EAM的电子电路的层。

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