镓特半导体科技(上海)有限公司罗晓菊获国家专利权
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龙图腾网获悉镓特半导体科技(上海)有限公司申请的专利半导体结构、自支撑掺杂氮化镓层及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114649196B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210238474.4，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权半导体结构、自支撑掺杂氮化镓层及其制备方法是由罗晓菊;王颖慧;唐金凤设计研发完成，并于2022-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构、自支撑掺杂氮化镓层及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体结构、自支撑掺杂氮化镓层及其制备方法，该半导体结构的制备方法包括：提供衬底；将衬底置于氢化物气相外延设备中；向氢化物气相外延设备中通入包括含氮气体及含硅混合气体，含氮气体与含硅混合气体反应，以于衬底上形成图形化掩膜层，图形化掩膜层内具有若干个孔隙；调整含硅混合气体的流量后，持续向氢化物气相外延设备中通入含硅混合气体及含氮气体；并向氢化物气相外延设备中通入氯化氢气体，以于孔隙内及图形化掩膜层远离衬底的表面形成掺杂氮化镓层。上述实施例提供的制备方法不易引入新的污染，还能够简化氢化物气相外延设备的设计。
本发明授权半导体结构、自支撑掺杂氮化镓层及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 将所述衬底置于氢化物气相外延设备中；向所述氢化物气相外延设备中通入包括含氮气体及含硅混合气体，所述含氮气体与含硅混合气体反应，以于所述衬底上形成图形化掩膜层，所述图形化掩膜层内具有若干个孔隙； 调整所述含硅混合气体的流量减小后，持续向所述氢化物气相外延设备中通入所述含硅混合气体及所述含氮气体；并向所述氢化物气相外延设备中通入氯化氢气体，以于所述孔隙内及所述图形化掩膜层远离所述衬底的表面形成掺杂氮化镓层，所述含氮气体与所述氯化氢气体用于生成氮化镓，所述含硅混合气体作为掺杂气体。
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