福建省晋华集成电路有限公司叶长福获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体存储器结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114664846B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210307627.6，技术领域涉及：H10B43/30；该发明授权半导体存储器结构及制备方法是由叶长福;陈旋旋;吕佐文设计研发完成，并于2022-03-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器结构及制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开一种半导体存储器结构及制备方法，能够减小位线栅极的电荷造成半导体存储器结构电性毁损的几率。所述半导体存储器结构的制备方法包括以下步骤：提供衬底，所述衬底表面形成有多个接触窗，所述接触窗内形成有堆叠结构，且所述堆叠结构的上表面高于所述衬底的上表面；对所述堆叠结构的侧壁表面进行氮化处理；在所述堆叠结构的侧壁表面形成第一侧墙；对所述第一侧墙进行氧化处理。
本发明授权半导体存储器结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供衬底，所述衬底表面形成有多个接触窗，所述接触窗内形成有堆叠结构，且所述堆叠结构的上表面高于所述衬底的上表面，所述堆叠结构包括金属层，以及位于所述金属层下方的衬垫； 对所述金属层以及所述衬垫的侧壁表面进行氮化处理； 在所述堆叠结构的侧壁表面形成第一侧墙； 对所述第一侧墙进行氧化处理。
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