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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种晶体管的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114709135B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210314521.9，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种晶体管的制造方法是由李永亮;毛晓烔;程晓红;马雪丽;罗军;王文武设计研发完成，并于2022-03-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种晶体管的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种晶体管的制造方法，涉及半导体技术领域，用于在沟道的材质含有锗的情况下，提高包括该沟道的晶体管的工作性能。所述晶体管的制造方法包括：在基底上形成晶体管包括的沟道、以及至少位于沟道上的硅层。沟道的材质含有锗。硅层中含有由沟道中扩散出的锗原子。对硅层进行交替循环的低温氧化处理和退火处理，直至位于硅层中的锗原子的浓度降低至预设阈值。

本发明授权一种晶体管的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种晶体管的制造方法，其特征在于，包括： 在基底上形成所述晶体管包括的沟道、以及至少位于所述沟道上的硅层；所述沟道的材质含有锗；所述硅层中含有由所述沟道中扩散出的锗原子；所述硅层的厚度大于等于1nm、且小于等于3nm； 对所述硅层进行交替循环的低温氧化处理和退火处理，直至位于所述硅层中的锗原子的浓度降低至预设阈值；所述低温氧化处理的处理温度大于0、且小于等于400℃，在臭氧基气体氛围中对所述硅层进行所述低温氧化处理；在真空环境或保护气体氛围中对所述硅层进行所述退火处理；所述退火处理的处理温度为450℃~650℃； 其中，所述对所述硅层进行交替循环的低温氧化处理和退火处理，包括： 对所述硅层进行所述低温氧化处理，以降低位于所述硅层中的锗原子的浓度、且在所述硅层的表面形成氧化物混合层；所述氧化物混合层的材质包括锗的氧化物和硅的氧化物； 对形成有所述氧化物混合层的所述硅层进行所述退火处理，以使所述锗的氧化物中的Ge-O键断裂；经所述退火处理后，所述氧化物混合层形成第一氧化层，所述硅层中剩余的至少部分锗原子移动至所述硅层靠近所述第一氧化层的表面并挥发；所述第一氧化层的材质为所述硅的氧化物； 重复上述操作，直至位于所述硅层中的锗原子的浓度降低至所述预设阈值；经交替循环的所述低温氧化处理和所述退火处理后所述硅层上形成有第二氧化层；所述第二氧化层包括至少一层第一氧化层。

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