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龙图腾网获悉桑迪士克科技有限责任公司申请的专利在存储器设备中利用p阱偏置来减少读取时间获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114746946B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180006736.8，技术领域涉及：G11C16/26；该发明授权在存储器设备中利用p阱偏置来减少读取时间是由A·N·扎努丁;权大元;袁家辉设计研发完成，并于2021-05-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本在存储器设备中利用p阱偏置来减少读取时间在说明书摘要公布了：本发明描述了用于减少存储器设备中的读取时间的装置和技术。控制NAND串的基板的源极区源极电压信号Vcelsrc和p阱本体电压信号Vp‑well以减小沟道电阻。在读取操作期间，Vcelsrc可暂时减小，例如，具有负电压反冲，而Vp‑well不减小。该负电压反冲使该NAND串在其沟道中的本体偏置减小，从而减小该沟道电阻并且增大电流。当将位线钳位晶体管制造成导电的以允许电流在该NAND串中流动时，可启动该负电压反冲。该负电压反冲的量值和持续时间可基于各种因素来调整。

本发明授权在存储器设备中利用p阱偏置来减少读取时间在权利要求书中公布了：1.一种存储器装置，包括： 控制电路110,122，所述控制电路被配置为连接到感测电路60-63和NAND串700n,700n1,700n2；710n,710n1,710n2；720n,720n1,720n2；730n,730n1,730n2，所述NAND串包括源极端700s和漏极端700d，所述漏极端连接到所述感测电路，并且所述NAND串包括多个存储器单元703-710；723-730；743-750； 763-770，所述多个存储器单元包括选定存储器单元714；和 连接到所述控制电路的存储器接口131，所述控制电路被配置为经由所述存储器接口发出命令，以利用源极电压信号Vcelsrc和本体电压信号Vp-well使所述NAND串偏置，所述源极电压信号和所述本体电压信号增大到相应的第一电压Vcelsrc1,Vp-well1，之后所述源极电压信号具有暂时电压向下反冲Vcelsrc2而所述本体电压信号不减小，以及控制所述感测电路使所述NAND串的所述漏极端在所述暂时电压向下反冲期间偏置并且在所述暂时电压向下反冲之后感测所述选定存储器单元；其中： 所述感测电路包括位线钳位晶体管55；并且 所述控制电路被配置为经由所述存储器接口发出命令，以使所述位线钳位晶体管在所述暂时电压向下反冲的开始t2从非导电状态转变成导电状态。

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