桑迪士克科技有限责任公司松野光一获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉桑迪士克科技有限责任公司申请的专利包括背侧沟槽支撑结构的三维存储器设备及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114946027B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180006652.4，技术领域涉及：H10B43/20；该发明授权包括背侧沟槽支撑结构的三维存储器设备及其形成方法是由松野光一;于继新;J·阿尔斯迈耶设计研发完成，并于2021-06-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括背侧沟槽支撑结构的三维存储器设备及其形成方法在说明书摘要公布了：一种三维存储器设备，该三维存储器设备包括位于衬底上方并且通过背侧沟槽而彼此横向间隔开的层堆叠。所述层堆叠中的每个层堆叠包括绝缘层和导电层的相应的交替堆叠。存储器开口竖直延伸穿过交替堆叠中的相应交替堆叠，并且填充有相应的存储器开口填充结构。所述存储器开口填充结构中的每个存储器开口填充结构包括相应的竖直半导体沟道和相应的竖直存储器元件堆叠。每个背侧沟槽填充结构包括相应行背侧沟槽桥结构，所述相应行背侧沟槽桥结构距所述衬底的距离比所述导电层中的最远侧导电层距所述衬底的距离更远。背侧沟槽桥结构可以在形成导电层的替换工艺期间提供结构支撑。
本发明授权包括背侧沟槽支撑结构的三维存储器设备及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种三维存储器设备，所述三维存储器设备包括： 层堆叠，所述层堆叠位于衬底上方并且通过沿第一水平方向横向延伸的背侧沟槽而彼此横向间隔开，其中所述层堆叠中的每个层堆叠包括绝缘层和导电层的相应的交替堆叠； 存储器开口，所述存储器开口竖直延伸穿过所述交替堆叠中的相应交替堆叠，并且填充有相应的存储器开口填充结构，其中所述存储器开口填充结构中的每个存储器开口填充结构包括相应的竖直半导体沟道和相应的竖直存储器元件堆叠；和 背侧沟槽填充结构，所述背侧沟槽填充结构位于所述背侧沟槽中的相应背侧沟槽内，其中： 所述背侧沟槽填充结构中的每个背侧沟槽填充结构包括相应行背侧沟槽桥结构，所述相应行背侧沟槽桥结构沿所述第一水平方向彼此横向间隔开，并且所述背侧沟槽桥结构的底表面距所述衬底的距离比所述导电层中的最远侧导电层距所述衬底的距离更远。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人桑迪士克科技有限责任公司，其通讯地址为：美国德克萨斯州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励