南亚科技股份有限公司龚耀雄获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利半导体装置和其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975354B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110300680.9，技术领域涉及：H01L23/528；该发明授权半导体装置和其形成方法是由龚耀雄;赖朝文设计研发完成，并于2021-03-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置和其形成方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体装置和其形成方法，半导体装置包括基板、位于基板上的金属比特线、位于金属比特线的相对两侧壁上的比特线间隔层、邻近金属比特线的接触件、位于接触件的相对两侧壁上的接触件间隔层、介于比特线间隔层和接触件间隔层之间的气隙、位于气隙上方的介电覆盖膜、位于介电覆盖膜上的间隔层，以及覆盖金属比特线、间隔层和接触件的覆盖层。其中，介电覆盖膜的下表面和接触件的上表面共平面，覆盖层接触介电覆盖膜。借此，本发明的半导体装置可避免装置中的覆盖层填入气隙中，从而维持气隙结构的完整性，以减少半导体装置中的寄生电容。
本发明授权半导体装置和其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括： 基板； 金属比特线，位于所述基板上，并沿第一方向延伸； 比特线间隔层，位于所述金属比特线的相对两侧壁上； 接触件，邻近所述金属比特线； 接触件间隔层，位于所述接触件的相对两侧壁上； 气隙，在第二方向介于所述比特线间隔层和所述接触件间隔层之间，且所述第一方向不同于所述第二方向； 介电覆盖膜，位于所述气隙上方，且不填入所述气隙中，所述介电覆盖膜的下表面和所述接触件的上表面共平面，所述介电覆盖膜覆盖所述气隙，且在所述第二方向上的宽度大于所述气隙的宽度； 间隔层，位于所述介电覆盖膜上；以及 覆盖层，覆盖所述金属比特线、所述间隔层和所述接触件，且所述覆盖层接触所述介电覆盖膜。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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