南方科技大学化梦媛获国家专利权
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龙图腾网获悉南方科技大学申请的专利外延结构、P型晶体管、集成电路以及电源管理芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115020469B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210573412.9，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权外延结构、P型晶体管、集成电路以及电源管理芯片是由化梦媛;陈俊廷设计研发完成，并于2022-05-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本外延结构、P型晶体管、集成电路以及电源管理芯片在说明书摘要公布了：本发明公开了一种外延结构、P型晶体管、集成电路以及电源管理芯片，其中外延结构包括基体以及在基体上形成的垂直堆叠结构，所述垂直堆叠结构包括依次层叠的第一P型区、P型沟道区以及第二P型区，所述第二P型区的一侧表面与所述基体的一侧表面接触；通过上述垂直堆叠的第一P型区、P型沟道区以及第二P型区的外延结构中，P型沟道区可以在不受光刻工艺的限制下，将沟道长度锐减至纳米范围。此外还可以通过调节P型沟道区掺杂浓度，实现对具有上述外延结构的常关型P型晶体管阈值电压的自由调控。
本发明授权外延结构、P型晶体管、集成电路以及电源管理芯片在权利要求书中公布了：1.一种外延结构，其特征在于，包括基体以及在基体上形成的垂直堆叠结构，所述垂直堆叠结构包括依次层叠的第一P型区、P型沟道区以及第二P型区，所述第一P型区的一侧表面与所述基体的一侧表面接触； 其中，所述第一P型区包括至少一层第一P型层，所述P型沟道区包括至少一层P型沟道层，所述第二P型区包括至少一层第二P型层； 所述基体包括依次层叠的衬底、应力缓冲层、沟道层以及势垒层，所述势垒层的一侧表面与所述第一P型区的一侧表面接触。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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