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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利非易失存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115064551B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210766813.6，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权非易失存储器是由李妍;辻直樹设计研发完成，并于2022-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本非易失存储器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种非易失存储器，存储单元包括存储管和选择管分别形成于第二导电类型掺杂的第一和第二阱区中。选择管的第一栅极结构包括依次叠加于第一栅氧化层、第一高介电常数层、第一功函数金属层和第一栅极导电材料层。存储管的第二栅极结构包括依次叠加的ONO层、第二高介电常数层、第二功函数金属层和第二栅极导电材料层。选择管的第一阈值电压大于存储管的第二阈值电压。通过减少第一功函数金属层的第一功函数和第一阱区的靠近费米能级的第一能级的差来增加第一阈值电压，从而使第一阱区的掺杂浓度独立于第一阈值电压的要求值进行设置并从而得到降低。本发明降低选择管形成区域的第一阱区的掺杂浓度，提高器件性能的均匀性。

本发明授权非易失存储器在权利要求书中公布了：1.一种非易失存储器，其特征在于：包括位于存储区的存储器件，所述存储器件的存储单元包括存储管和选择管； 所述选择管的形成区域中形成有第一阱区，所述存储管的形成区域中形成有第二阱区；所述第一阱区和所述第二阱区都形成于半导体衬底中且都具有第二导电类型掺杂； 所述选择管具有第一栅极结构，所述第一栅极结构包括依次叠加于所述第一阱区表面的第一栅氧化层、第一高介电常数层、第一功函数金属层和第一栅极导电材料层； 所述存储管具有第二栅极结构，所述第二栅极结构包括依次叠加于所述第二阱区表面的ONO层、第二高介电常数层、第二功函数金属层和第二栅极导电材料层； 所述选择管具有第一阈值电压； 所述存储管在所述ONO层未存储电荷时具有第二阈值电压，所述第一阈值电压大于所述第二阈值电压； 在所述第一阱区中，所述半导体衬底的能带结构中具有导带底以及价带顶，所述第一阱区的费米能级所靠近的能级为第一能级，所述第一能级为所述导带底和所述价带顶中的一个，第二能级为所述导带底和所述价带顶中的另一个； 所述第一功函数金属层具有第一功函数，所述第二功函数金属层具有第二功函数； 所述第一功函数和所述第二功函数都靠近所述第二能级，且所述第一功函数和所述第一能级的第一能级差小于所述第二功函数和所述第一能级的第二能级差；通过减少所述第一能级差来增加所述第一阈值电压，从而使所述第一阱区的掺杂浓度独立于所述第一阈值电压的要求值进行设置，使所述第一阱区的掺杂浓度的降低到满足所述选择管的性能的均匀性要求以及使所述第一阱区和所述第二阱区的互相扩散减少到满足所述存储管的性能的均匀性的要求。

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