济南市半导体元件实验所单维刚获国家专利权
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龙图腾网获悉济南市半导体元件实验所申请的专利功率模组肖特基二极管芯片结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115064589B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210427309.3，技术领域涉及：H10D64/64；该发明授权功率模组肖特基二极管芯片结构及制备方法是由单维刚;宋青设计研发完成，并于2022-04-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本功率模组肖特基二极管芯片结构及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种功率模组肖特基二极管芯片结构及制备方法，包括：As掺杂的硅半导体衬底和位于硅半导体衬底之上的P掺杂硅半导体外延层；芯片结构的边缘为氧化层钝化层结构，芯片的主结为环形P+、六边形P+以及铂金‑硅肖特基结共同形成的复合结势垒结构；在复合结势垒结构的正面设有正面多层金属电极，在硅半导体衬底的背面多层金属电极；本发明方法简易、成本低、实用有效，采用NiPt合金作为肖特基势垒金属，形成复合金属硅化物‑硅接触势垒NiPtSi‑Si，势垒高度低，反向电流小，通过调整合金组分能够调整势垒高度。
本发明授权功率模组肖特基二极管芯片结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种功率模组肖特基二极管芯片结构，其特征在于： 包括： N型硅半导体衬底和位于N型硅半导体衬底之上的N型硅半导体外延层； 芯片结构的边缘为氧化层钝化层结构，芯片的主结为环形P+、六边形P+以及铂金-硅肖特基结共同形成的复合结势垒结构； 在复合结势垒结构的正面设有正面多层金属电极，在硅半导体衬底的背面多层金属电极； 其中，N型硅半导体外延层的正面设有氧化层，氧化层的中间位置具有结势垒结构，环形P+和六边形P+图形区等间距分布，两区域之间为铂金势垒结构，NiPtSi势垒层与N型硅半导体外延层直接接触； 其中，N型硅半导体衬底为高浓度As掺杂的N型硅半导体衬底，N型硅半导体外延层为低浓度P掺杂的硅半导体外延层。
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