买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉南京大学申请的专利一种垂直结构的NiO/Ga2O3JFET及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115084224B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210661297.0，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种垂直结构的NiO/Ga2O3JFET及其制备方法是由叶建东;杨晔芸;巩贺贺;郁鑫鑫;任芳芳;顾书林;张荣设计研发完成，并于2022-06-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种垂直结构的NiO/Ga2O3JFET及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提出一种垂直结构的NiOGa2O3JFET及其制备方法。该器件结构自下而上依次为漏极金属层、N+型Ga2O3衬底、N‑型Ga2O3漂移层、P型NiO层、栅金属层、Al2O3隔离层、离子注入Si+的高掺杂N+区以及源极金属层。其中，Ga2O3漂移层中刻蚀出鳍型结构，P型NiO层与栅金属层依次位于其两侧。本发明采用NiNiOGa2O3异质结构形成栅控区域，取代现有的MOS结构器件，易实现增强型，在后续的电路和功率模块应用中有更大的潜力。同时JFET器件为埋沟器件，受界面缺陷影响小，能够提高载流子迁移率与器件响应速度。

本发明授权一种垂直结构的NiO/Ga2O3JFET及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直结构的NiOGa2O3JFET的制备方法，其特征在于，垂直结构的NiOGa2O3JFET包括：自下而上依次设置的漏极金属层1、N+型Ga2O3衬底2、N-型Ga2O3漂移层3、P型NiO层4、栅金属层5、Al2O3隔离层6、高掺杂N+区7以及源极金属层8；其中，N-型Ga2O3漂移层3中刻蚀出垂直鳍型结构，在垂直鳍型结构的两侧依次叠加P型NiO层4与栅金属层5；高掺杂N+区7与源极金属层8形成欧姆接触，漏极金属层1与N+型Ga2O3衬底2同为欧姆接触；所述N+型Ga2O3衬底2和N-型Ga2O3漂移层3均采用β-Ga2O3晶体；所述鳍型结构深度为1μm，宽度为300nm；所述栅金属层5为Ni金属，栅金属层5厚度为20-50nm; 方法的步骤为：1在N-型Ga2O3漂移层3表面离子注入Si+形成高掺杂N+区7，再在N2中进行退火；2通过电子束曝光EBL选定鳍型结构尺寸，并利用电子束蒸发技术EBE在Ga2O3漂移层3上蒸镀Pt金属掩膜；然后通过ICP刻蚀出垂直的鳍型结构，为器件导电沟道；3在衬底背面通过电子束蒸发技术EBE生长TiAu为漏极，然后进行快速热退火，以实现漏极欧姆接触；4通过磁控溅射技术在鳍型结构两侧共型生长NiO材料；5通过电子束蒸发技术EBE在NiO外侧生长Ni金属作为栅极；6对于经过步骤5处理过的样品，采用光刻胶平整工艺后通过ICP刻蚀，去除掉高掺杂N+区7附近的栅金属Ni和NiO；7采用ALD方法生长Al2O3层隔离栅源金属；8对于经过步骤7处理过的样品，采用光刻胶平整工艺后通过ICP刻蚀去除高掺杂N+区7顶端多余Al2O3；9采用电子束蒸发技术在高掺杂N+区7上端蒸镀TiAu形成栅极，并利用ICP技术刻蚀多余部分以实现器件间隔离。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人南京大学，其通讯地址为：210093 江苏省南京市鼓楼区汉口路22号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。