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龙图腾网获悉上海新硅聚合半导体有限公司申请的专利一种单晶压电薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115084352B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210641726.8，技术领域涉及：H10N30/093；该发明授权一种单晶压电薄膜及其制备方法是由欧欣;陈阳;黄凯设计研发完成，并于2022-06-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种单晶压电薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种单晶压电薄膜及其制备方法，包括对单晶压电衬底的加工表面进行第一退火处理，以在加工表面形成钝化层；单晶压电衬底为铌酸锂；从加工表面对单晶压电衬底进行离子注入处理，使得单晶压电衬底内形成压电薄膜层与损伤层，得到包括压电薄膜层的单晶压电衬底；采用清洗剂进行清洗处理，得到清洗后的单晶压电衬底；将清洗后的单晶压电衬底沿加工表面与支撑衬底键合，得到键合结构；对键合结构进行剥离处理，使键合结构沿损伤层分离，得到单晶压电薄膜。本申请通过在单晶压电衬底表面形成钝化层，能够有效避免压电薄膜层在制备过程中被腐蚀，降低制备工艺的复杂度，提升产品厚度的准确性与均匀性，提升产品良率。

本发明授权一种单晶压电薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种单晶压电薄膜的制备方法，其特征在于，包括： S1，对单晶压电衬底的加工表面进行第一退火处理，以在所述加工表面形成钝化层；其中，所述单晶压电衬底的材质为单晶铌酸锂；所述钝化层的厚度为2～10nm，所述钝化层的厚度偏差小于0.5nm； S2，从所述加工表面对所述单晶压电衬底进行离子注入处理，使得所述单晶压电衬底内形成压电薄膜层与损伤层，得到包括所述压电薄膜层的所述单晶压电衬底；其中，所述压电薄膜层位于所述钝化层与所述损伤层之间，所述钝化层的元素组分与所述压电薄膜层的元素组分相同，所述压电薄膜层与初始的所述单晶压电衬底在元素组分与化学计量比上均相同，所述钝化层中元素的化学计量比与所述压电薄膜层中元素的化学计量比不同，所述钝化层中锂元素、氧元素与铌元素的化学计量比为0.1-0.8：2.5-3：1； S3，采用清洗剂对包括所述压电薄膜层的所述单晶压电衬底进行清洗处理，得到清洗后的所述单晶压电衬底； S4，将清洗后的所述单晶压电衬底沿所述加工表面与支撑衬底进行键合处理，得到键合结构； S5，对所述键合结构进行剥离处理，使得所述键合结构沿所述损伤层分离，得到表面为所述压电薄膜层的单晶压电薄膜。

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