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龙图腾网获悉甬矽半导体(宁波)有限公司申请的专利凸块封装结构和凸块封装结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115116871B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210853382.7，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权凸块封装结构和凸块封装结构的制备方法是由何正鸿;王森民设计研发完成，并于2022-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本凸块封装结构和凸块封装结构的制备方法在说明书摘要公布了：本发明的实施例提供了一种凸块封装结构和凸块封装结构的制备方法，涉及半导体封装技术领域，该凸块封装结构包括芯片、保护层、基底粘接层、导电组合层、电性凸柱和帽层，其中基底粘接层为多层石墨烯材料，能够增强底部结构的稳定性以及疏水性，同时避免底切问题，此外基底粘接层形成有弧形凹槽，能够提升相邻层级之间的接触面，进而提升结合力。相较于现有技术，本发明提供的凸块封装结构，能够避免出现过度腐蚀形成的底切开口，同时结构更加稳定，底部结构结合力更好，且散热、导电性能均较佳，有效缓解了电迁移和热迁移带来的失效隐患。

本发明授权凸块封装结构和凸块封装结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种凸块封装结构，其特征在于，包括： 芯片，所述芯片的正面设置有焊垫； 设置在所述芯片的正面的保护层，所述保护层上设置有与所述焊垫对应的保护开口； 设置在所述保护开口内的基底粘接层； 设置在所述基底粘接层上的导电组合层； 设置在所述导电组合层上的电性凸柱； 设置在所述电性凸柱上的帽层； 其中，所述基底粘接层包括多层石墨烯材料，所述基底粘接层的顶部边缘向外延伸至所述保护层上，并覆盖所述保护开口的边缘，且所述基底粘接层远离所述芯片的一侧表面设置有弧形凹槽，所述导电组合层至少部分容置在所述弧形凹槽内； 其中，所述基底粘接层由涂覆在所述保护层上的石墨烯材料制成，并由烤箱加热固定，所述基底粘接层用于增强底部结构的稳定性和疏水性；所述导电组合层包括阻挡层和润湿层，所述阻挡层覆盖在所述基底粘接层上，所述润湿层覆盖在所述阻挡层上； 所述基底粘接层远离所述芯片的一侧表面至少部分呈内凹弧面，并形成所述弧形凹槽，以使所述阻挡层和所述润湿层均向着靠近所述芯片的方向拱起，并使得所述电性凸柱靠近所述芯片的一侧表面至少部分呈外凸弧面；所述弧形凹槽延伸至所述基底粘接层的边缘，以使所述基底粘接层远离所述芯片的一侧表面呈内凹弧面； 其中，所述基底粘接层的边缘厚度H1为所述阻挡层的厚度H2和所述润湿层的厚度H3之和。

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