华为技术有限公司张译获国家专利权
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龙图腾网获悉华为技术有限公司申请的专利一种集成电路、芯片及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115117026B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110310830.4，技术领域涉及：H01L23/60；该发明授权一种集成电路、芯片及电子设备是由张译;张湘辉;于睿;吴剑锋;滕照宇;吴磊设计研发完成，并于2021-03-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种集成电路、芯片及电子设备在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种集成电路、芯片及电子设备，涉及微电子电路技术领域，可以改善因静电放电导致的集成电路失效。集成电路，包括：衬底以及设置在衬底上的晶体管；晶体管的栅极与静电释放导线的第一端耦合，晶体管的第一有源极与静电释放导线的第二端耦合，其中晶体管的第一有源极还与接地端耦合；其中，静电释放导线用于将晶体管的栅极的静电电压输出至接地端；或者，当集成电路位于芯片上时，静电释放导线断开。
本发明授权一种集成电路、芯片及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种集成电路，其特征在于，所述集成电路用于射频模组，包括：衬底以及设置在所述衬底上的晶体管，所述晶体管包括HEMT；所述晶体管的栅极与静电释放导线的第一端耦合，所述晶体管的第一有源极与所述静电释放导线的第二端耦合，其中所述晶体管的第一有源极还与接地端耦合；所述晶体管用于所述射频模组的功率放大器PA；所述晶体管的沟道层包括Ⅲ族氮化物； 其中，所述静电释放导线用于将所述晶体管的栅极的静电电压输出至所述接地端；或者，当所述集成电路位于芯片上时，所述静电释放导线断开； 所述静电释放导线还与静电释放电极耦合，所述静电释放电极用于接收熔断电压，或者所述静电释放电极用于接收所述静电电压，所述静电电压的绝对值大于所述熔断电压的绝对值。
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