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龙图腾网获悉湘能华磊光电股份有限公司申请的专利一种发光二极管芯片制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115148865B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210774648.9，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种发光二极管芯片制作方法是由周佐华;苗振林;季辉设计研发完成，并于2022-07-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种发光二极管芯片制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种发光二极管芯片制作方法，涉及发光二极管芯片制作技术领域。该发光二极管芯片制作方法包括以下步骤：切片、清洗烘干、硅片检查、除氮化硅、离子注入、形成氮化物半导体层、形成隔离区、扩片、退火、倒角、研磨清洗、芯片检验，所述步骤十中，在对硅片倒角结束后，需要对硅片进行分档检测，所述步骤二中对硅片进行烘干时，需要将温度控制在150～250℃加热1～2分钟，通过对硅片进行清洗烘干，控制温度在150～250℃，可以最大程度上使得硅片脱水，且可以避免硅片损坏，再通过后期研磨清洗，可以有效的去除硅片表面的有机杂质，避免附着在外延层侧壁的烧痕或碎屑容易使得芯片产生漏电的不良现象，提高了LED芯片的抗静电能力。

本发明授权一种发光二极管芯片制作方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管芯片制作方法，其特征在于：该发光二极管芯片制作方法包括以下步骤： 步骤一、切片，将单晶硅棒切成具有精确几何尺寸的硅片，此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废水和硅渣； 步骤二、清洗烘干，通过湿法清洗硅片，再使用离子水冲洗硅片，再对硅片进行烘干； 步骤三、硅片检查，通过使用显微镜对切片后的硅片进行检查，观察硅片表面是否有残渣或水分； 步骤四、除氮化硅，用干法氧化法将氮化硅去除； 步骤五、离子注入，通过离子布植将硼离子透过SiO2膜注入衬底，形成P型阱，然后去除光刻胶放高温炉中进行退火处理，再用热磷酸去除氮化硅层，掺杂磷离子，形成N型阱，然后退火处理，再用HF去除SiO2层，然后采用干法氧化法生成一层SiO2层，形成衬底； 步骤六，形成氮化物半导体层，对衬底、n型III族氮化物半导体层、有源层、p型III族氮化物半导体层、第一光学反射层进行切割，得到若干独立的芯片单元，芯片单元均包括两个n型电极和两个p型电极； 步骤七、形成隔离区，利用光刻技术和离子刻蚀技术，保留下栅隔离层上面的氮化硅层，生长未有氮化硅保护的SiO2层，形成PN之间的隔离区； 步骤八、扩片，使用扩片机对黏结硅片的膜进行扩张，使硅片的间距拉伸到0.6mm； 步骤九、退火，双工位热氧化炉经氮气吹扫后，用红外加热，硅片表面和氧气发生反应，使硅片表面形成二氧化硅保护层； 步骤十、倒角，将退火的硅片进行修整成圆弧形； 步骤十一、研磨清洗，用磨片剂除去切片和轮磨所造的锯痕及表面损伤层，有效改善单晶硅片的曲度、平坦度与平行度，达到一个抛光过程处理的规格，通过有机溶剂的溶解作用，结合超声波清洗技术去除硅片表面的有机杂质； 步骤十二、芯片检验，通过显微镜对芯片进行检查，观察材料表面是否有机械损伤及麻点麻坑、芯片尺寸、电极大小是否符合要求以及电极图案是否完整； 所述步骤二中对硅片进行烘干时，需要将温度控制在150～250℃加热1～2分钟，并且使用氮气保护； 所述步骤九中，使用红外加热至300～500℃； 所述步骤二中清洗硅片去除表面的污染物和去除水蒸气； 所述步骤六中p型电极采用Au、Al、Cu、Ag、Fe、Ti、Cr、Pt、Ni中的一种或多种； 所述步骤六中n型电极采用Au、Al、Cu、Ag、Fe、Ti、Cr、Pt、Ni中的一种或多种。

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