广州奥松电子股份有限公司张宾获国家专利权
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龙图腾网获悉广州奥松电子股份有限公司申请的专利一种半导体器件用电极的制造方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115172194B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210585554.7，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权一种半导体器件用电极的制造方法及半导体器件是由张宾;朱瑞;陈新准;陈善任;肖钧尹;李若朋;雷作双;张福容设计研发完成，并于2022-05-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件用电极的制造方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体器件用电极的制造方法及半导体器件，所述方法包括：在电极本体上设置焊区；在所述焊区上设置覆盖所述焊区的第一指示区；在所述第一指示区上设置覆盖所述第一指示区的第一透光保护区；去除所述第一透光保护区和第一指示区。本申请还公开了一种采用所述方法而制得的半导体器件。本申请可以仅通过显微镜就能判断出焊区处的保护层是否完全去除，无需对焊区进行电阻测试，从而减少了测试步骤，有利于节省时间。
本发明授权一种半导体器件用电极的制造方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件用电极的制造方法，其特征在于，包括： 采用光刻法在在电极本体上设置焊区；包括：在所述电极本体上设置第一光刻胶区，所述第一光刻胶区包括与所述焊区相匹配的第一蚀刻区和与电极本体的非焊区相匹配的第一留置区；采用掩膜遮挡所述第一蚀刻区，后对所述第一光刻胶区进行曝光；蚀刻所述第一蚀刻区，得到所述焊区； 采用剥离法在所述焊区上设置覆盖所述焊区的第一指示区；包括：在所述第一光刻胶区上形成指示区，所述指示区包括所述覆盖所述焊区的第一指示区和覆盖所述第一留置区的第二指示区，采用超声和或浸泡剥离液的方式，去除所述第一留置区和第二指示区； 在所述第一指示区上设置覆盖所述第一指示区的第一透光保护区；包括：在所述电极本体上设置透光保护区；将所述透光保护区中覆盖所述第一指示区的区域定义为第一透光保护区；将所述透光保护区中至少部分覆盖所述电极本体的非焊区的区域定义为第二透光保护区； 去除所述第一透光保护区和第一指示区。
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