昕原半导体(杭州)有限公司李晓波获国家专利权
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龙图腾网获悉昕原半导体(杭州)有限公司申请的专利RRAM下电极结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115295722B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210635839.7，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权RRAM下电极结构及其形成方法是由李晓波;仇圣棻设计研发完成，并于2022-06-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本RRAM下电极结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种RRAM下电极结构及其形成方法，其中的方法包括：以平坦化的第一金属介电层作为衬底，使所述第一金属介电层的表面全部或部分裸露出第一金属；在预设浸润温度下以硅烷浸润所述第一金属介电层，以在所述第一金属表面形成第一金属硅化物层；在所述第一金属硅化物层上形成连续且平整的介电停止层；在所述介电停止层的表面形成RRAMCell下电极；对所述RRAMCell下电极做金属表面平坦化处理后，在其上形成RRAMCell。利用本发明，能够有效提高第一金属与硅基介电层界面的附着力，从而进一步提升第一金属的电迁移和应力迁移特性，提高器件的可靠性和良率，同时简化工艺流程，缩短工艺周期，降低工艺成本。
本发明授权RRAM下电极结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种RRAM下电极结构的形成方法，包括： 以平坦化的第一金属介电层作为衬底，使所述第一金属介电层的表面全部或部分裸露出第一金属； 以还原性气体去除所述第一金属介电层表面的杂质； 在预设浸润温度下以硅烷浸润所述第一金属介电层，以在所述第一金属表面形成第一金属硅化物层，在所述介电层表面形成硅烷吸附及硅岛； 在所述第一金属硅化物层上形成连续且平整的介电停止层； 采用经MaskLayer沉积、光刻、刻蚀、金属材料填充的步骤在所述介电停止层的表面形成RRAMCell下电极； 对所述RRAMCell下电极作金属表面平坦化处理后，在其上形成RRAMCell。
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