北京航空航天大学宁波创新研究院赵修琪获国家专利权
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龙图腾网获悉北京航空航天大学宁波创新研究院申请的专利一种基于多重镜像法的均匀区双平面线圈设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115329653B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211017095.9，技术领域涉及：G06F30/27；该发明授权一种基于多重镜像法的均匀区双平面线圈设计方法是由赵修琪;张露;卢颜;赵霁野;田鹏涛;张迪设计研发完成，并于2022-08-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于多重镜像法的均匀区双平面线圈设计方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于多重镜像法的大均匀区双平面线圈设计方法，涉及磁屏蔽补偿技术领域，本方法包括步骤S1：通过高磁导率材料的无限大的表面反射磁源和磁性材料，将磁屏蔽箱的屏蔽层看作无限大的平面，产生镜像电流，镜像电流被其他屏蔽层反复镜像；S2：建立实际电流与镜像电流的关系；S3：基于双平面的电流在Q点处从空气中进入到屏蔽层中并发生折射，折射角为45°，电流在屏蔽层内W点处发生反射，在G点处从屏蔽层中进入到空气中，折射角为θ，R点是电流经屏蔽层的反射后的位置点。本方法能够在保证磁屏蔽室空间利用率的前提下，提高线圈的均匀度和均匀度，从而实现降低磁屏蔽室研制成本和重量。
本发明授权一种基于多重镜像法的均匀区双平面线圈设计方法在权利要求书中公布了：1.一种基于多重镜像法的均匀区双平面线圈设计方法，其特征在于，包括步骤： S1：通过高磁导率材料的无限大的表面反射磁源和磁性材料，将磁屏蔽箱的屏蔽层看作无限大的平面，产生镜像电流，镜像电流被其他屏蔽层反复镜像； S2：建立实际电流与镜像电流的关系； S3：基于双平面线圈的电流在Q点处从空气中进入到屏蔽层中并发生折射，折射角为45°，电流在屏蔽层内W点处发生反射，在G点处从屏蔽层中进入到空气中，折射角为，R点是电流经屏蔽层的反射后的位置点； S4：通过镜像法屏蔽箱中的均匀场BC等效为一个无限次线圈阵列，通过计算线圈阵列的叠加场，得到均匀场BC在磁屏蔽材料的耦合作用下产生的磁场； S5：基于目标场法根据目标区域所需要产生磁场的分布，计算得到双平面线圈所在位置的电流密度分布，对电流密度离散化后得到线圈绕组的具体结构。
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