深圳市安思疆科技有限公司李安获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市安思疆科技有限公司申请的专利一种衍射光学元件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115356798B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211124069.6，技术领域涉及：G02B5/18；该发明授权一种衍射光学元件及其制备方法是由李安;张莉萍;陈驰设计研发完成，并于2022-09-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种衍射光学元件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了一种衍射光学元件及其制备方法，该衍射光学元件包括光学元件设置腔，光学元件设置腔包括至少两层基材以及分别与基材连接的连接部；衍射光学元件包括设置于光学元件设置腔内的光学结构，光学结构包括衍射结构和准直结构。采用本发明实施例提供的衍射光学元件，在光学元件设置腔内设置的光学结构同时包括衍射结构和准直结构，即丰富光学元件设置腔内对光线的调节效果。相比于现有技术中，将衍射结构和准直结构单独设置的情况下，本发明实施例可以降低衍射光学元件的生产加工难度，提高生产效率和良率等，同时还可以避免衍射结构和准直结构受到环境等外部因素的影响。
本发明授权一种衍射光学元件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种衍射光学元件，其特征在于，包括光学元件设置腔，所述光学元件设置腔包括至少两层基材以及分别与所述基材连接的连接部； 所述衍射光学元件包括设置于所述光学元件设置腔内的光学结构，所述光学结构包括衍射结构和准直结构；所述衍射光学元件结构包括至少一级所述衍射结构，所述衍射结构包括第一级衍射结构和第二级衍射结构； 至少两层所述基材包括第一基材和第二基材；所述准直结构设置在所述第二基材表面；所述第一级衍射结构和所述第二级衍射结构设置于所述第一基材和所述准直结构限定的空间内； 其中，所述第二基材在通电时的折射率为n1，所述第二基材在未通电时的折射率为n2，其中，|n1-n2|＞0；所述准直结构的折射率为n3，其中，n1=n3。
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