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龙图腾网获悉桑迪士克科技有限责任公司申请的专利半导体结构和三维NAND存储器器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115360167B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210904177.9，技术领域涉及：H01L23/538；该发明授权半导体结构和三维NAND存储器器件是由F.富山;Y.水谷;小川裕之;Y.降幡;J.于;J.卡伊;J.刘;J.阿尔斯梅尔设计研发完成，并于2016-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构和三维NAND存储器器件在说明书摘要公布了：公开了一种半导体结构，包括：存储器层级组件，位于半导体衬底之上且包含至少一个交替堆叠体和存储器堆叠体结构；多个横向伸长的接触通孔结构，垂直延伸穿过所述存储器层级组件，沿着第一水平方向横向延伸，并且将所述至少一个交替堆叠体横向分为横向间隔开的多个块，包括一组三个相邻块，依次包含沿着垂直于所述第一水平方向的第二水平方向布置的第一块、第二块和第三块；贯穿存储器层级通孔区域，位于相邻于所述第二块的纵向端部且在所述第一块的阶梯区域与所述第三块的阶梯区域之间，其中所述贯穿存储器层级通孔区域包括嵌入在电介质填充材料部分中的垂直延伸的贯穿存储器层级通孔结构；以及字线开关器件。还公开了一种三维NAND存储器器件。

本发明授权半导体结构和三维NAND存储器器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括： 存储器层级组件，位于半导体衬底之上且包含至少一个交替堆叠体和存储器堆叠体结构，所述存储器堆叠体结构垂直延伸穿过所述至少一个交替堆叠体，其中所述至少一个交替堆叠体包含相应的绝缘层和相应的导电层的交替层； 多个横向伸长的接触通孔结构，垂直延伸穿过所述存储器层级组件，沿着第一水平方向横向延伸，并且将所述至少一个交替堆叠体横向分为横向间隔开的多个块，其中所述多个块包括一组三个相邻块，所述一组三个相邻块依次包含沿着垂直于所述第一水平方向的第二水平方向布置的第一块、第二块和第三块； 贯穿存储器层级通孔区域，位于相邻于所述第二块的纵向端部且在所述第一块的阶梯区域与所述第三块的阶梯区域之间，其中所述贯穿存储器层级通孔区域包括嵌入在电介质填充材料部分中的垂直延伸的贯穿存储器层级通孔结构；以及 字线开关器件，位于在所述垂直延伸的贯穿存储器层级通孔结构和所述电介质填充材料部分下面的所述贯穿存储器层级通孔区域中的所述衬底上或之上。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人桑迪士克科技有限责任公司，其通讯地址为：美国得克萨斯州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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