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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利LDMOS器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115377206B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210986831.5，技术领域涉及：H10D64/00；该发明授权LDMOS器件及其制备方法是由许昭昭设计研发完成，并于2022-08-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本LDMOS器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种LDMOS器件及其制备方法，其中LDMOS器件包括：衬底；金属硅化物反应阻挡层；金属硅化物层；第一刻蚀停止层和第一层间介质层；第一金属插塞；第二刻蚀停止层和第二层间介质层；第二金属插塞；第三刻蚀停止层、第三层间介质层和第三金属插塞。所述金属硅化物反应阻挡层、所述第一刻蚀停止层和所述第一层间介质层构成第一场板；所述金属硅化物反应阻挡层、所述第一刻蚀停止层、所述第一层间介质层、所述第二刻蚀停止层和第二层间介质层构成第二场板。本申请在不额外增加工艺步骤的情况下，通过多个金属插塞将第一场板和第二场板短接至源极端或栅极端或独立成一个电极，从而可以有效调节电场分布、提高击穿电压。

本发明授权LDMOS器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种LDMOS器件，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底上形成有外延层和位于所述外延层上的栅极结构，其中，所述外延层中形成有漂移区、体区、P型重掺杂区和N型重掺杂区； 金属硅化物反应阻挡层，所述金属硅化物反应阻挡层覆盖所述漂移区； 金属硅化物层，所述金属硅化物层覆盖所述P型重掺杂区和所述N型重掺杂区； 堆叠的第一刻蚀停止层和第一层间介质层，所述第一刻蚀停止层覆盖所述金属硅化物反应阻挡层和所述金属硅化物层，所述第一层间介质层覆盖所述第一刻蚀停止层； 第一金属插塞，所述第一金属插塞分别将所述栅极结构、所述P型重掺杂区和所述N型重掺杂区引出至所述第一层间介质层的表面； 堆叠的第二刻蚀停止层和第二层间介质层，所述第二刻蚀停止层覆盖所述第一层间介质层，所述第二层间介质层覆盖所述第二刻蚀停止层； 第二金属插塞，所述第二金属插塞分别将所述第一金属插塞、所述第一层间介质层引出至所述第二层间介质层的表面； 堆叠的第三刻蚀停止层和第三层间介质层，所述第三刻蚀停止层覆盖所述第二层间介质层，所述第三层间介质层覆盖所述第三刻蚀停止层； 第三金属插塞，所述第三金属插塞分别将所述第二金属插塞、所述第二层间介质层引出至所述第三层间介质层的表面； 其中，所述金属硅化物反应阻挡层、所述第一刻蚀停止层和所述第一层间介质层构成器件的第一场板；所述金属硅化物反应阻挡层、所述第一刻蚀停止层、所述第一层间介质层、所述第二刻蚀停止层和第二层间介质层构成器件的第二场板。

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