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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利浮栅型分栅闪存器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115377212B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210986808.6，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权浮栅型分栅闪存器件及其制备方法是由许昭昭设计研发完成，并于2022-08-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本浮栅型分栅闪存器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种浮栅型分栅闪存器件及其制备方法，其中器件包括：衬底；浮栅氧化层、台阶型浮栅多晶硅层；ONO介质层；源端侧墙；第一侧墙；源端多晶硅层；保护层；第二侧墙；选择栅氧化硅层、选择栅多晶硅层和第三侧墙。本申请通过利用源端侧墙在浮栅多晶硅层的左、右、上三个方向对浮栅多晶硅层形成包裹，增加源端侧墙和浮栅多晶硅层的交叠面积，可以在微缩闪存器件的尺寸的同时提高SL‑FG的耦合系数；进一步的，本申请通过将浮栅多晶硅层的内外做成厚度不同的台阶形貌，增厚内侧浮栅多晶硅层的厚度，同时减薄外侧浮栅多晶硅层的厚度，使得选择栅至浮栅的有效交叠面积基本不变，同时选择栅对浮栅的外侧上角形成包裹，提高器件的擦除效率。

本发明授权浮栅型分栅闪存器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种浮栅型分栅闪存器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供一衬底，所述衬底中形成有阱区，所述衬底上由下往上依次形成有浮栅氧化层、浮栅多晶硅层和阻挡层，其中，所述浮栅氧化层、所述浮栅多晶硅层、所述阻挡层和所述衬底中形成有第一沟槽； 形成隔离层，所述隔离层填充所述第一沟槽； 去除所述阻挡层，并回刻部分厚度的所述隔离层以使所述隔离层的上表面不高于所述浮栅多晶硅层的下表面，其中，所述第一沟槽中剩余厚度的所述隔离层为浅沟道隔离结构； 在所述浮栅多晶硅层上依次形成第一氧化硅层、氮化硅层、牺牲层和刻蚀停止层，其中，所述第一氧化硅层覆盖所述浮栅多晶硅层的上表面以及相对的两个侧表面； 刻蚀所述刻蚀停止层和所述牺牲层以形成第二沟槽； 形成第二氧化硅层，所述第二氧化硅层覆盖所述第二沟槽的侧壁、底壁和所述刻蚀停止层；其中，所述第一氧化硅层、所述氮化硅层和所述第二氧化硅层构成ONO介质层； 在所述第二沟槽中形成源端侧墙，所述源端侧墙覆盖所述第二沟槽的部分侧壁以及部分底壁，其中，所述源端侧墙在所述浮栅多晶硅层的左、右、上三个方向对所述浮栅多晶硅层形成包裹； 自对准刻蚀所述第二氧化硅层、所述氮化硅层、所述第一氧化硅层和所述浮栅多晶硅层以形成第三沟槽； 对所述第三沟槽的底壁执行离子注入工艺以在所述阱区中形成源极； 形成第一侧墙，所述第一侧墙覆盖所述第三沟槽的顶端侧壁和底端侧壁； 在所述第三沟槽中刻蚀所述浮栅氧化层以形成第四沟槽； 形成源端多晶硅层以引出所述源极，所述源端多晶硅层填充所述第四沟槽以及覆盖所述刻蚀停止层； 研磨所述刻蚀停止层表面的所述源端多晶硅层并回刻所述第四沟槽中一定厚度的所述源端多晶硅层； 形成保护层，所述保护层覆盖源端多晶硅层并填充所述第四沟槽； 去除所述刻蚀停止层； 刻蚀所述第四沟槽侧的所述牺牲层、所述氮化硅层、所述第一氧化硅层以及部分厚度的所述浮栅多晶硅层以得到台阶型浮栅多晶硅层，其中，所述浮栅多晶硅层呈内侧厚、外侧薄的台阶形貌，其中，靠近所述源端多晶硅层的一侧为所述浮栅多晶硅层的内侧，远离所述源端多晶硅层的一侧为所述浮栅多晶硅层的外侧； 形成第二侧墙，所述第二侧墙覆盖所述ONO介质层的外侧表面和所述浮栅多晶硅层的外侧表面； 去除所述第二侧墙侧的剩余厚度的所述浮栅多晶硅层至所述浮栅氧化层的表面； 形成位于所述第二侧墙侧的选择栅氧化硅层、位于所述选择栅氧化硅层侧以及并且包裹所述浮栅多晶硅层的外侧上角的选择栅多晶硅层、位于阱区中的轻掺杂漏区、漏极和位于所述选择栅多晶硅层侧的第三侧墙。

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