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龙图腾网获悉株式会社东芝申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115411094B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210137348.X，技术领域涉及：H10D64/00；该发明授权半导体装置是由雁木比吕;田口安则;井口智明;小林勇介;根本宏树设计研发完成，并于2022-02-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：实施方式的半导体装置具有：第一电极；第二电极；包含第一半导体区域、第二半导体区域以及第三半导体区域在内的半导体层；第三电极；第一绝缘区域；第二绝缘区域；第四电极，具有包含第一部分、第二部分以及第三部分在内的在第一方向上连续的多个部分，第一部分的第二方向上的宽度为第一宽度，第二部分在第一方向上位于比所述第一部分靠所述第二电极侧，所述第二方向上的宽度为比所述第一宽度小的第二宽度，第三部分与所述第二部分邻接，在所述第一方向上位于比所述第二部分靠所述第二电极侧，所述第二方向上的宽度为比所述第二宽度大的第三宽度；以及第三绝缘区域。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，具有： 第一电极； 第二电极； 半导体层，包含：第一导电型的第一半导体区域，在从所述第二电极朝向所述第一电极的第一方向上位于所述第一电极与所述第二电极之间，且与所述第二电极电连接；第二导电型的第二半导体区域，在所述第一方向上位于所述第一电极与所述第一半导体区域之间，且与所述第一半导体区域相接；以及所述第一导电型的第三半导体区域，在所述第一方向上位于所述第一电极与所述第二半导体区域之间，且与所述第二半导体区域相接； 第三电极，在所述第一方向上位于所述第一电极与所述第一半导体区域之间，在与所述第一方向交叉的第二方向上与所述第二半导体区域相向； 第一绝缘区域，位于所述第三电极与所述第一半导体区域、所述第二半导体区域以及所述第三半导体区域之间； 第二绝缘区域，位于所述第三电极与所述第一电极之间； 第四电极，具有包含第一部分、第二部分以及第三部分在内的在所述第一方向上连续的三个以上的多个部分，在所述第一方向上位于所述第三电极与所述第一半导体区域之间，所述第一部分的所述第二方向上的宽度为第一宽度，所述第二部分与所述第一部分邻接，在所述第一方向上位于比所述第一部分靠所述第二电极侧，所述第二方向上的宽度为小于所述第一宽度的第二宽度，所述第三部分与所述第二部分邻接，在所述第一方向上位于比所述第二部分靠所述第二电极侧，所述第二方向上的宽度为大于所述第二宽度的第三宽度；以及 第三绝缘区域，位于所述第四电极与所述第一半导体区域之间， 所述第四电极的所述多个部分包含第四部分，该第四部分与所述第一部分邻接，在所述第一方向上位于比所述第一部分靠所述第一电极侧，所述第二方向上的宽度为大于所述第一宽度的第四宽度， 所述第四电极的所述多个部分包含第五部分，该第五部分与所述第四部分邻接，在所述第一方向上位于比所述第四部分靠所述第一电极侧，所述第二方向上的宽度为大于所述第四宽度的第五宽度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社东芝，其通讯地址为：日本东京都；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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