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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利锗硅异质结双极晶体管结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115425069B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211138591.X，技术领域涉及：H10D62/17；该发明授权锗硅异质结双极晶体管结构及其形成方法是由刘丙永;陈曦;黄景丰;杨继业设计研发完成，并于2022-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本锗硅异质结双极晶体管结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种锗硅异质结双极晶体管结构及其形成方法，其中方法包括：提供衬底，所述衬底包括基底和位于所述基底上的集电区，所述集电区包括第一区和位于所述第一区两侧的第二区；形成位于第一区上的主基区和位于第二区上的外基区，所述外基区位于所述主基区侧壁表面和部分顶部表面；在部分所述主基区表面形成发射区，所述发射区和所述外基区相互分立，所述外基区与所述主基区的接触面积增大，有利于减少外基区的连接电阻，从而有利于提高器件的截止频率，提高器件性能。

本发明授权锗硅异质结双极晶体管结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种锗硅异质结双极晶体管结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括基底和位于所述基底上的集电区，所述集电区包括第一区和位于所述第一区两侧的第二区； 形成位于第一区上的主基区和位于第二区上的外基区，所述外基区位于所述主基区侧壁表面和部分顶部表面，所述外基区包括第一外延层和第二外延层，所述第一外延层位于所述第二区顶部表面，所述第一外延层顶部表面高于所述主基区顶部表面，所述第一外延层具有相对的第一侧壁和第二侧壁，所述第一侧壁与所述主基区侧壁表面相接触，所述第二外延层位于部分所述主基区顶部以及所述第一侧壁表面； 其中，所述第一外延层和所述第二外延层的形成方法包括：在所述第一区上形成第一牺牲层和位于所述第一牺牲层上的第二牺牲层，所述第一牺牲层和所述第二牺牲层暴露出所述第二区顶部表面；在所述第二区顶部表面形成第一外延层，所述第一外延层顶部表面高于所述第一牺牲层顶部表面，所述第一外延层具有相对的第一侧壁和第二侧壁，且所述第一侧壁与所述第一牺牲层以及所述第二牺牲层侧壁相邻；在所述衬底表面、所述第一外延层的所述第二侧壁和顶部表面形成第三牺牲层，且去除所述第二牺牲层，在所述第一外延层和所述第三牺牲层内形成第一开口，所述第一开口暴露出部分所述第一侧壁；在所述第一开口暴露出的所述第一侧壁表面形成第二外延层； 在部分所述主基区表面形成发射区，所述发射区和所述外基区相互分立。

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