松山湖材料实验室梁会力获国家专利权
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龙图腾网获悉松山湖材料实验室申请的专利光电器件、选择开关、深紫外探测器、薄膜晶体管及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115483271B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110600050.3，技术领域涉及：H10D62/17；该发明授权光电器件、选择开关、深紫外探测器、薄膜晶体管及应用是由梁会力;韩祖银;王燕;刘尧平;梅增霞设计研发完成，并于2021-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本光电器件、选择开关、深紫外探测器、薄膜晶体管及应用在说明书摘要公布了：一种光电器件、选择开关、深紫外探测器、薄膜晶体管及应用，属于半导体器件领域。该薄膜晶体管包括栅绝缘层、作为厚沟道的非晶氧化镓层。并且，该薄膜晶体管还包括：作为薄沟道的界面层，其位于所述栅绝缘层和所述非晶氧化镓层之间。非晶氧化镓层的电阻率高于界面层的电阻率。该光电器件具有好的紫外探测性能。
本发明授权光电器件、选择开关、深紫外探测器、薄膜晶体管及应用在权利要求书中公布了：1.一种薄膜晶体管，包括栅绝缘层、作为第一沟道的非晶氧化镓层，其特征在于，所述非晶氧化镓层具有通过在制备过程中引入升高的氧浓度而获得的被提高的电阻率； 所述薄膜晶体管还包括：作为第二沟道的界面层，所述界面层位于所述栅绝缘层和所述非晶氧化镓层之间，且所述界面层具有由载流子浓度在1×1018cm-3至1×1020cm-3所限定的降低的电阻率，所述界面层是非连续的薄膜，所述界面层的厚度为1nm至6nm。
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