绍兴中芯集成电路制造股份有限公司李雄伟获国家专利权
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龙图腾网获悉绍兴中芯集成电路制造股份有限公司申请的专利金属氧化物半导体器件的制备方法及器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115547838B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211304854.X，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权金属氧化物半导体器件的制备方法及器件是由李雄伟;刘琪;陈宗高设计研发完成，并于2022-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本金属氧化物半导体器件的制备方法及器件在说明书摘要公布了：本申请实施例涉及一种金属氧化物半导体器件的制备方法及器件，通过提供具有漂移区的衬底，漂移区具有第一导电类型；在衬底上的第一选定位置形成浅沟道隔离结构，以及在衬底上的第二选定位置形成局部氧化隔离结构；其中，第二选定位置位于漂移区的上方；在衬底的整个上表面上进行离子注入；其中，在第一选定位置处，浅沟道隔离结构阻挡注入的离子进入衬底；在第二选定位置处，注入的离子穿过局部氧化隔离结构，以在局部氧化隔离结构下方的漂移区内形成具有第二导电类型的顶层；第二导电类型与第一导电类型电性相反；不仅降低了表面电场，而且降低了器件的导通电阻，节省了工艺时间，降低了工艺成本。
本发明授权金属氧化物半导体器件的制备方法及器件在权利要求书中公布了：1.一种金属氧化物半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 提供具有漂移区的半导体衬底，所述漂移区具有第一导电类型； 在所述半导体衬底上的第一选定位置形成浅沟道隔离结构，以及在所述半导体衬底上的第二选定位置形成局部氧化隔离结构；其中，所述第二选定位置位于所述漂移区的上方； 在所述半导体衬底的整个上表面上进行离子注入；其中，在所述第一选定位置处，所述浅沟道隔离结构阻挡注入的离子进入所述半导体衬底；在所述第二选定位置处，注入的离子穿过所述局部氧化隔离结构，以在所述局部氧化隔离结构下方的所述漂移区内形成具有第二导电类型的顶层；所述第二导电类型与所述第一导电类型电性相反。
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