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龙图腾网获悉广微集成技术(深圳)有限公司申请的专利一种半导体介质层结构及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115566078B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211380807.3，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权一种半导体介质层结构及制作方法是由李杰英;单亚东;胡丹;谢刚设计研发完成，并于2022-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体介质层结构及制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体介质层结构及制作方法。该半导体介质层结构包括半导体衬底，半导体衬底表面设有外延层，外延层设有多个沟槽，外延层表面设有第一热氧化层，沟槽内填充有原位掺杂多晶硅，原位掺杂多晶硅与沟槽之间形成有栅氧化层，沟槽相邻的第一热氧化层表面设有氮化硅层，氮化硅层表面设有第二热氧化层，第二热氧化层表面设有淀积的氧化层，淀积的氧化层以及第二热氧化层以及第二热氧化层底部的氮化硅层以及第一热氧化层的一部分镂空形成接触孔，接触孔内的底端中部延伸至外延层表面，使外延层顶部裸露，且接触孔底部内的底端边缘延伸至原位掺杂多晶硅，露出沟槽内壁的栅氧化层。本发明能够达到反向漏电流减少的目的。

本发明授权一种半导体介质层结构及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体介质层结构的制作方法，其特征在于，所述半导体介质层结构包括半导体衬底，所述半导体衬底表面设有外延层，所述外延层设有多个沟槽，所述外延层表面设有第一热氧化层，所述沟槽内填充有原位掺杂多晶硅，所述原位掺杂多晶硅与沟槽之间形成有栅氧化层，所述沟槽相邻的第一热氧化层表面设有氮化硅层，所述氮化硅层表面设有第二热氧化层，所述第二热氧化层表面设有淀积的氧化层，所述淀积的氧化层以及第二热氧化层以及第二热氧化层底部的氮化硅层以及所述第一热氧化层的一部分镂空形成接触孔，所述接触孔内的底端中部延伸至所述外延层表面，使所述外延层顶部裸露，且所述接触孔底部内的底端边缘延伸至所述原位掺杂多晶硅，露出所述沟槽内壁的栅氧化层，所述接触孔区域的沟槽内多晶硅填充高度落于所述外延层顶部表面界面以下0～20nm，所述接触孔区域以外的沟槽内多晶硅的填充高度落于所述氮化硅层的厚度范围内； 所述制作方法包括： 步骤一、在半导体的外延层上生长第一热氧化层，再在所述第一热氧化层的表面淀积氮化硅层，在所述氮化硅层的表面淀积不掺杂的原位多晶硅，将所述氮化硅上不掺杂的原位多晶硅完全氧化，生成第二热氧化层； 步骤二、通过刻蚀工艺在所述第一热氧化层、氮化硅层和第二热氧化层上刻蚀出沟槽的窗口，刻蚀完成后将光刻胶全部去除； 步骤三、利用所述窗口在所述外延层上刻蚀沟槽，在每一所述沟槽内壁生成热氧化层作为沟槽MOS的栅氧化层； 步骤四、淀积原位掺杂多晶硅，并对其进行第一次回刻，使原位掺杂多晶硅界面落在所述氮化硅层的厚度范围内； 步骤五、在所述第二热氧化层和回刻结束后的原位掺杂多晶硅的表面进行淀积，生成淀积的氧化层； 步骤六、在所述淀积的氧化层表面进行光刻胶涂布及光刻，形成的光刻胶图形作为接触孔刻蚀的掩蔽层； 步骤七、基于所述光刻胶图形，通过干法刻蚀对相应位置的所述淀积的氧化层和第二热氧化层进行刻蚀，直至露出氮化硅层和原位掺杂多晶硅； 步骤八、将光刻胶去除干净，通过干法刻蚀对所述原位掺杂多晶硅进行第二次回刻，直至所述原位掺杂多晶硅的表面处于所述外延层顶部表面界面以下0～20nm，露出氮化硅层下的第一热氧化层，最终留下的原位掺杂多晶硅作为沟槽的填充材料和沟槽MOS的栅极接触材料； 步骤九、通过湿法腐蚀接触孔内的所述氮化硅层，然后腐蚀接触孔内的所述第一热氧化层，直至露出所述外延层，得到半导体介质层结构。

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