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龙图腾网获悉四川大学申请的专利一种基于Mn掺杂氧化镓的阻变存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115605073B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211226093.0，技术领域涉及：H10N70/00；该发明授权一种基于Mn掺杂氧化镓的阻变存储器及其制备方法是由向钢;代旭;张析设计研发完成，并于2022-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于Mn掺杂氧化镓的阻变存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于Mn掺杂氧化镓的阻变存储器及其制备方法，本发明的制备方法将含有镓和锰的聚合物溶液均匀的涂覆在SiSiO2Pt衬底上，再将其置于氧化性气氛中进行热处理得到表面平整均匀的Mn掺杂氧化镓非晶薄膜a‑GMO。采用该薄膜制备的三明治结构Pta‑GMOPt的阻变存储器具有超过103的高电阻与低电阻的比值ROFFRON，随着电阻的切换伴随着明显的磁化的变化。本发明制备Mn掺杂非晶氧化镓薄膜的方法简单易行，可应用于阻变存储器和多功能存储器件，具有广阔的应用前景。

本发明授权一种基于Mn掺杂氧化镓的阻变存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于Mn掺杂氧化镓的阻变存储器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤S1：制备GaMn前驱溶液：在100份质量的Ga前驱溶液中加入1～100份质量的Mn前驱溶液，充分搅拌得到GaMn前驱溶液； 其中，所述Ga前驱溶液的制备方法包括：在100份质量的去离子水中加入2～15份质量的聚乙烯亚胺和2～15份质量的乙二胺四乙酸，充分搅拌至澄清得到聚合物水溶液，然后在聚合物水溶液中加入1～10份质量的可溶性镓盐充分搅拌均匀后，超滤掉分子量小于10000gmol的分子并浓缩得到Ga前驱溶液； 所述Mn前驱溶液的制备方法包括：在100份重量的去离子水中加入2～15份质量的聚乙烯亚胺和2～15份重量的乙二胺四乙酸，充分搅拌至澄清得到聚合物水溶液，然后在聚合物水溶液中加入1～10份重量的可溶性锰盐充分搅拌均匀后，超滤掉分子量小于10000gmol的分子并浓缩得到Mn前驱溶液； 步骤S2：清洗衬底表面：将SiSiO2Pt作为衬底，分别在丙酮、酒精、去离子水中用超声波清洗10～15min，最后用氮气吹干； 步骤S3：旋涂：将步骤S1中所得的GaMn前驱溶液旋涂至步骤S2中清洗后的衬底上得到预制膜； 步骤S4：热处理：在480℃～580℃的温度下，将步骤S3所得到的预制膜置于氧化性气氛中进行热处理得到Mn掺杂的非晶氧化镓薄膜； 步骤S5：制备顶电极：采用电子束蒸发在覆盖有金属掩膜版的Mn掺杂的非晶氧化镓薄膜表面上生长惰性金属电极，以制备三明治结构的阻变存储器。

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