上海积塔半导体有限公司孙向东获国家专利权
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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利绝缘栅双极型晶体管的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115621124B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211197169.1，技术领域涉及：H10D12/01；该发明授权绝缘栅双极型晶体管的制备方法是由孙向东设计研发完成，并于2022-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本绝缘栅双极型晶体管的制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种绝缘栅双极型晶体管的制备方法，包括：提供第一基片及第二基片，第一基片包括第一表面；自第一基片的第一表面对其进行注入，形成绝缘栅双极型晶体管的背面结构；于第二基片上形成牺牲层；通过牺牲层，将第二基片键合至第一基片形成有背面结构的一侧；于第一基片的远离第二基片的一侧形成绝缘栅双极型晶体管的正面结构；去除牺牲层，将第二基片与第一基片分离。本申请使背面结构的制作工艺更简单，减少了用于制作绝缘栅双极型晶体管的背面结构的设备花费。
本发明授权绝缘栅双极型晶体管的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供第一基片及第二基片，所述第一基片包括第一表面； 自所述第一基片的第一表面对其进行注入，形成所述绝缘栅双极型晶体管的背面结构，包括：自所述第一基片的第一表面对其进行离子注入，形成缓冲层；于缓冲层表面形成注入阻挡层，所述注入阻挡层内具有开口，所述开口暴露出所述缓冲层； 于所述第二基片上形成牺牲层； 通过所述牺牲层，将所述第二基片键合至所述第一基片形成有所述背面结构的一侧； 于所述第一基片的远离所述第二基片的一侧形成所述绝缘栅双极型晶体管的正面结构； 去除所述牺牲层，将所述第二基片与所述第一基片分离； 所述于缓冲层表面形成注入阻挡层，包括： 于所述缓冲层上形成注入阻挡材料层；所述注入阻挡材料层包括第二氧化层、第三氧化层； 于所述第一基片的第一表面上形成缓冲层之前，还包括如下步骤： 对所述第一基片进行热氧化处理，以于所述第一基片的第一表面形成所述第三氧化层； 所述第三氧化层厚度小于所述第二氧化层的厚度，对所述缓冲层进行热氧化处理之后，所述第二氧化层位于第三氧化层与缓冲层之间。
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