绍兴中芯集成电路制造股份有限公司张玉琦获国家专利权
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龙图腾网获悉绍兴中芯集成电路制造股份有限公司申请的专利垂直型晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115692471B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211431341.5，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权垂直型晶体管及其制备方法是由张玉琦;戴银;任文珍设计研发完成，并于2022-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本垂直型晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请实施例涉及一种垂直型晶体管及其制备方法，其中垂直型晶体管包括：半导体衬底，包括彼此相对的第一表面和第二表面，半导体衬底具有第一导电类型；多个第二导电类型体区，从第一表面延伸至半导体衬底的内部；其中，第二导电类型不同于第一导电类型；源极区，位于第二导电类型体区内，漏极，位于第二表面上；凹槽，位于相邻两第二导电类型体区之间，且从第一表面延伸至半导体衬底的内部；栅极介质层，从凹槽内延伸至第一表面的上方，且覆盖第二导电类型体区的部分区域；栅极，位于栅极介质层上；如此，可实现低压下的Cgd降低，而高压下的Cgd基本不变的目的，从而降低了Qg及驱动损耗，并且工艺简单，易于实现。
本发明授权垂直型晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直型晶体管，其特征在于，包括： 半导体衬底，包括彼此相对的第一表面和第二表面，所述半导体衬底具有第一导电类型； 多个第二导电类型体区，从所述第一表面延伸至所述半导体衬底的内部；其中，所述第二导电类型不同于所述第一导电类型； 源极区，位于所述第二导电类型体区内， 漏极，位于所述第二表面上； 凹槽，位于相邻两所述第二导电类型体区之间，且从所述第一表面延伸至所述半导体衬底的内部；所述凹槽的深度在以下范围内：大于等于相邻两第二导电类型体区的间距的13，且小于等于相邻两第二导电类型体区的间距的12； 栅极介质层，从所述凹槽内延伸至所述第一表面的上方，且覆盖所述第二导电类型体区的部分区域；所述栅极介质层位于所述凹槽内的部分的材料包括高K介质材料； 栅极，位于所述栅极介质层上。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人绍兴中芯集成电路制造股份有限公司，其通讯地址为：312035 浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路518号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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