美光科技公司T·T·皮耶克尼获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利多平面存储器装置中的独立并行平面存取获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115699180B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180041372.7，技术领域涉及：G11C8/12；该发明授权多平面存储器装置中的独立并行平面存取是由T·T·皮耶克尼设计研发完成，并于2021-06-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本多平面存储器装置中的独立并行平面存取在说明书摘要公布了：本发明公开一种存储器装置，其包含：存储器阵列，其包括第一数目个平面；第二数目个独立平面驱动器电路，其中所述第二数目小于所述第一数目；及平面选择电路，其用以将所述第二数目个独立平面驱动器电路耦合到所述存储器阵列的所述第一数目个平面。所述存储器装置进一步包含控制逻辑，其用以执行接收第一读取命令，并在所述第一数目个平面当中识别所述第一读取命令指向的第一平面。所述控制逻辑进一步配置所述平面选择电路以将所述第二数目个独立平面驱动器中的第一独立平面驱动器耦合到所述第一平面并致使所述第一独立平面驱动器对所述第一平面执行对应于所述第一读取命令的第一读取操作。
本发明授权多平面存储器装置中的独立并行平面存取在权利要求书中公布了：1.一种存储器装置，其包括： 存储器阵列，其包括第一数目个平面； 第二数目个独立平面驱动器电路，其中所述第二数目小于所述第一数目； 平面选择电路，其用以将所述第二数目个独立平面驱动器电路耦合到所述存储器阵列的所述第一数目个平面；及 控制逻辑，其与所述存储器阵列、所述第二数目个独立平面驱动器电路及所述平面选择电路操作地耦合，所述控制逻辑用以执行操作，所述包括： 接收第一读取命令及第二读取命令； 在所述第一数目个平面当中识别所述第一读取命令指向的第一平面及所述第二读取命令指向的第二平面； 配置所述平面选择电路以将所述第二数目个独立平面驱动器中的第一独立平面驱动器耦合到所述第一平面并将所述第二数目个独立平面驱动器中的第二独立平面驱动器耦合到所述第二平面；及 并发地致使所述第一独立平面驱动器对所述第一平面执行对应于所述第一读取命令的第一读取操作并致使所述第二独立平面驱动器执行对应于所述第二读取命令的第二读取操作。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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