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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利用于氮化钛膜层沉积的工艺腔室及氮化钛膜层沉积方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115704085B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110923830.1，技术领域涉及：C23C14/34；该发明授权用于氮化钛膜层沉积的工艺腔室及氮化钛膜层沉积方法是由杜立勇设计研发完成，并于2021-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于氮化钛膜层沉积的工艺腔室及氮化钛膜层沉积方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种用于氮化钛膜层沉积的工艺腔室及氮化钛膜层沉积方法，靶材设于工艺腔体的顶部开口上并包含钛元素；承载组件可升降的设于工艺腔体内；附属腔体连通工艺腔体；遮挡部件可分离的设于传输机构上；传输机构选择性的将晶圆或遮挡部件中的一者置于承载组件上，另一者置于附属腔体内；工艺腔室进行阻挡层沉积工艺时，传输机构转移遮挡部件至承载组件上，转移晶圆至附属腔体内，进行第一阶段的阻挡膜层沉积；待靶材上形成有满足氮化钛工艺要求的物质后，传输机构转移晶圆至承载组件上，转移遮挡部件至附属腔体内，进行第二阶段的阻挡层沉积。本发明能够避免晶圆上沉积有过渡层，从而增加阻挡层的厚度，改善阻挡效果。

本发明授权用于氮化钛膜层沉积的工艺腔室及氮化钛膜层沉积方法在权利要求书中公布了：1.一种用于氮化钛膜层沉积的工艺腔室，所述工艺腔室包括工艺腔体、靶材和承载组件，所述靶材设置于所述工艺腔体的顶部开口上，所述靶材包含钛元素；所述承载组件可升降的设置在所述工艺腔体内，其特征在于，所述工艺腔室还包括： 传输机构、遮挡部件和附属腔体，所述附属腔体与所述工艺腔体连通； 所述遮挡部件以可分离的方式设置于所述传输机构上； 所述传输机构用于选择性的将晶圆或所述遮挡部件中的一者放置于所述承载组件上，另一者放置于所述附属腔体内； 所述工艺腔室进行阻挡层沉积工艺时，所述传输机构转移所述遮挡部件至所述承载组件上，并将所述晶圆转移至所述附属腔体内，进行第一阶段的阻挡层沉积；待所述靶材上形成有满足氮化钛工艺要求的物质后，所述传输机构转移所述晶圆至所述承载组件上，并将所述遮挡部件转移至所述附属腔体内，进行第二阶段的阻挡层沉积工艺以在所述晶圆上沉积形成氮化钛膜层， 其中，所述第一阶段的阻挡层沉积包括所述工艺腔室通入第一工艺气体，向所述靶材施加直流功率，以激发所述第一工艺气体形成等离子体，轰击所述靶材，直至所述靶材上形成有满足氮化钛工艺要求的物质；并且 其中，所述第二阶段的阻挡层沉积工艺包括所述工艺腔室通入所述第一工艺气体；向所述靶材施加直流功率，以激发所述第一工艺气体形成等离子体，轰击所述靶材，以在所述晶圆上沉积形成氮化钛膜层。

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