南亚科技股份有限公司丘世仰获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利半导体装置与其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115732400B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111645638.7，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体装置与其制造方法是由丘世仰设计研发完成，并于2021-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置与其制造方法在说明书摘要公布了：本发明的一些实施方式包含一种制造半导体装置的方法，包含形成第一凹槽于第一晶圆中，其中第一凹槽在第一晶圆的第一前侧表面并暴露第一晶圆的第一互连结构。形成第二凹槽于第二晶圆中，其中第二凹槽在第二晶圆的第二前侧表面。以第一聚合物填充第一凹槽。以第二聚合物填充第二凹槽。接合第一晶圆的第一前侧表面至第二晶圆的第二前侧表面，使得第一聚合物接合至第二聚合物。移除在第一凹槽中的第一聚合物与在第二凹槽中的第二聚合物。以及，沉积金属在第一凹槽与第二凹槽中。
本发明授权半导体装置与其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包含： 形成第一凹槽于第一晶圆中，其中该第一凹槽在该第一晶圆的第一前侧表面并暴露该第一晶圆的第一互连结构； 形成第二凹槽于第二晶圆中，其中该第二凹槽在该第二晶圆的第二前侧表面； 以第一聚合物填充该第一凹槽； 以第二聚合物填充该第二凹槽； 接合该第一晶圆的该第一前侧表面至该第二晶圆的该第二前侧表面，使得该第一聚合物接合至该第二聚合物； 移除在该第一凹槽中的该第一聚合物与在该第二凹槽中的该第二聚合物；以及 沉积金属在该第一凹槽与该第二凹槽中。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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