福建晶安光电有限公司曾柏翔获国家专利权
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龙图腾网获悉福建晶安光电有限公司申请的专利一种衬底加工方法及半导体器件制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115763220B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211339354.X，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种衬底加工方法及半导体器件制造方法是由曾柏翔;张佳浩;周光权;李瑞评;陈铭欣设计研发完成，并于2022-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种衬底加工方法及半导体器件制造方法在说明书摘要公布了：本发明的目的在于提供一种衬底加工方法及半导体器件制造方法。本发明中在对晶棒进行切割之前，首先利用表面处理剂对晶棒的侧面进行表面处理，使得晶棒在随后的退火过程中与表面处理剂发生反应而形成改性层，切割表面处理后的晶棒以得到多个衬底，每一个衬底的外圈边缘部分均包括改性区域，由于改性区域与衬底中间区域的材料的晶格和热力学性质的差别，在衬底改性层区域的范围会形成稳定的应力区域，控制衬底发生的扭曲弯曲的方向和程度，进而优化衬底的面型，提高衬底的加工质量和品质。
本发明授权一种衬底加工方法及半导体器件制造方法在权利要求书中公布了：1.一种衬底的加工方法，其特征在于， 包括如下步骤： 利用表面处理剂对长晶形成的晶棒的侧面进行表面处理； 对表面处理后的所述晶棒进行退火，使所述晶棒的侧面与所述表面处理剂反应，以在所述晶棒的侧面形成改性层； 切割所述晶棒以得到多个衬底，每一个所述衬底的外圈边缘部分均包括改性区域，所述表面处理剂的成分，包括：改性剂、催化剂、分散剂以及溶剂，其中溶剂包括：醇类、酮类、甲苯类、醚类或酯类，改性区域和衬底中间区域的应力差值趋于一致，收敛应力的差值，控制衬底发生的扭曲或弯曲方向及程度趋于相同。
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