TES股份有限公司权捧秀获国家专利权
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龙图腾网获悉TES股份有限公司申请的专利对包括氮化硅层的基板进行处理的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115938930B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211024996.0，技术领域涉及：H01L21/311；该发明授权对包括氮化硅层的基板进行处理的方法是由权捧秀;裵世雄;宋银眞设计研发完成，并于2022-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本对包括氮化硅层的基板进行处理的方法在说明书摘要公布了：根据本发明的基板处理方法是在氧化硅层与氮化硅层交替堆叠的基板中对所述氮化硅层选择性地进行刻蚀的基板处理方法，包括将多种气体等离子体化并对氮化硅层进行等离子体刻蚀的步骤，所述多种气体包含含有除三氟化氮以外的氟的第一气体及含有氢的第二气体，且对所述多种气体中所包含的氟与氢的原子比进行调节以对氮化硅层的厚度方向的刻蚀轮廓进行控制。根据本发明的基板处理方法，可对氮化硅层的刻蚀轮廓进行调节，增大刻蚀气体的等离子体化效率，且自由基可充分到达最下部的氮化物层。
本发明授权对包括氮化硅层的基板进行处理的方法在权利要求书中公布了：1.一种基板处理方法，是在氧化硅层与氮化硅层交替堆叠的基板中对所述氮化硅层选择性地进行刻蚀的基板处理方法，其特征在于， 包括将多种气体等离子体化并对氮化硅层进行等离子体刻蚀的步骤， 所述多种气体包含含有除三氟化氮以外的氟的第一气体及含有氢的第二气体，且 对所述多种气体中所包含的氟与氢的原子比进行调节，以对氮化硅层的厚度方向的刻蚀轮廓进行控制。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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