格芯(美国)集成电路科技有限公司R·施波雷尔获国家专利权
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龙图腾网获悉格芯(美国)集成电路科技有限公司申请的专利由密封腔体底切的光学组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116027484B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211175587.0，技术领域涉及：G02B6/122；该发明授权由密封腔体底切的光学组件是由R·施波雷尔;卞宇生;广川孝子设计研发完成，并于2022-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本由密封腔体底切的光学组件在说明书摘要公布了：本发明涉及由密封腔体底切的光学组件，提供包括例如边缘耦合器的光学组件的结构，以及制造包括例如边缘耦合器的光学组件的结构的方法。该结构包括具有密封腔体的衬底、光学组件、以及位于该光学组件与该密封腔体间的介电层。该光学组件垂直位于该衬底及该介电层上方，且该光学组件与位于该衬底中的该密封腔体重叠。
本发明授权由密封腔体底切的光学组件在权利要求书中公布了：1.一种光子芯片的结构，其特征在于，该结构包括： 衬底，包括密封腔体； 边缘耦合器，包括具有第一侧壁与第二侧壁的波导芯，该边缘耦合器具有纵轴；以及 介电层，位于该波导芯与该密封腔体间，该介电层包括延伸到该密封腔体的第一多个堵塞开口及延伸到该密封腔体的第二多个堵塞开口，该第一多个堵塞开口邻近该波导芯的该第一侧壁，该第二多个堵塞开口邻近该波导芯的该第二侧壁，且该第一多个堵塞开口及该第二多个堵塞开口呈锥形阵列，该第一多个堵塞开口与该第二多个堵塞开口间的间距沿该纵轴的位置变化， 其中，该波导芯位于该衬底及该介电层上方，该密封腔体具有沿该纵轴的位置变化的形状，且该波导芯与位于该衬底中的该密封腔体重叠。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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