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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第四十四研究所申请的专利大截面脊波导基横模大功率半导体激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116031753B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310224441.9，技术领域涉及：H01S5/22；该发明授权大截面脊波导基横模大功率半导体激光器是由刘尚军;张靖;李志伟;骆小顺;刘刚明;冯琛;孟钰淋;朱长林设计研发完成，并于2023-03-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本大截面脊波导基横模大功率半导体激光器在说明书摘要公布了：本发明涉及一种大截面脊波导基横模大功率半导体激光器，包括衬底以及依次设置在所述衬底上的缓冲层、N限制层、N波导层、量子阱有源层、P波导层、P限制层和P接触层；所述P接触层通过刻蚀形成有贯穿P接触层和P限制层并伸入P波导层的第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽和第二沟槽平行设置，在所述第一沟槽和第二沟槽之间的未刻蚀部分形成脊波导。本发明中，N波导层的厚度大于P波导层，使得光场被拉向N掺杂区域，从而减小光损耗，可以在增大脊波导宽度的情况下使脊部结构有效折射率与两侧有效折射率差仍小于0.5％，在实现基横模输出保持良好的光束质量的同时，增大了光斑尺寸、有效降低了COMD的影响，提高了输出光功率。

本发明授权大截面脊波导基横模大功率半导体激光器在权利要求书中公布了：1.一种大截面脊波导基横模大功率半导体激光器，其特征在于：包括 衬底，所述衬底采用N型掺杂材料； 缓冲层，覆盖在衬底上，所述缓冲层采用N型掺杂材料； N限制层，覆盖在缓冲层上，所述N限制层采用N型掺杂的AlGaAs材料或AlGaInP材料，所述N限制层的厚度为0.2μm～1.5μm； N波导层，覆盖在N限制层上，所述N波导层采用非故意掺杂或N型掺杂材料； 量子阱有源层，覆盖在N波导层上，所述量子阱有源层采用非掺杂的InGaAsP材料或非掺杂的InAlGaAs材料； P波导层，覆盖在量子阱有源层上，所述P波导层采用非故意掺杂或P型掺杂材料，所述P波导层的厚度小于所述N波导层的厚度； P限制层，覆盖在P波导层上，所述P限制层采用P型掺杂的AlGaAs材料或AlGaInP材料，所述P限制层的厚度为0.2μm～1.5μm；以及 P接触层，覆盖在P限制层上，所述P接触层采用P型掺杂材料； 所述P接触层通过刻蚀形成有贯穿P接触层和P限制层并伸入P波导层的第一沟槽和第二沟槽，刻蚀深度为0.6μm～1μm，所述第一沟槽和第二沟槽平行设置，在所述第一沟槽和第二沟槽之间的未刻蚀部分形成脊波导；所述脊波导的侧向脊宽为8μm～10μm，所述脊波导的腔长为1mm～5mm。

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