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龙图腾网获悉铠侠股份有限公司申请的专利半导体存储装置以及半导体存储装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116034637B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080103412.1，技术领域涉及：H10B41/27；该发明授权半导体存储装置以及半导体存储装置的制造方法是由高山华梨;菅野裕士;武木田秀人设计研发完成，并于2020-10-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体存储装置以及半导体存储装置的制造方法在说明书摘要公布了：提供可进行容易的擦除动作的半导体存储装置。半导体存储装置具备：层叠体，具有多个导电层与多个绝缘层，多个导电层包含连接于第一选择晶体管的栅极的第一选择栅极线、设于第一选择栅极线的上方并且连接于存储器晶体管的栅极的字线、及设于字线的上方并且连接于第二选择晶体管的栅极的第二选择栅极线；芯绝缘层，具有相对于半导体基板的表面比第二选择栅极线的上表面低的上表面；半导体层，包含具有存储器晶体管和第一以及第二选择晶体管各自的沟道形成区域的第一半导体部、及设于芯绝缘层的上表面的第二半导体部；以及在第一方向上设于半导体层与层叠体之间的存储器层。第一半导体部具有含有杂质元素并且与第二选择栅极线重叠的杂质半导体区域。

本发明授权半导体存储装置以及半导体存储装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储装置的制造方法，其中，具备如下工序： 通过交替地层叠分别沿第一方向延伸的第一绝缘层与牺牲层，在设于半导体基板的表面的周边电路的上方形成具有多个所述第一绝缘层与多个所述牺牲层的层叠体； 通过局部地去除所述层叠体，形成沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸的开口； 在所述开口的内壁面形成存储器层； 在所述存储器层的表面形成第一半导体部； 形成与所述第一半导体部的表面相接并且填埋所述开口的第二绝缘层； 通过局部地去除所述第二绝缘层，相对于所述半导体基板的所述表面，使所述第二绝缘层的上表面低于多个所述牺牲层的最上层的上表面； 形成与所述第一半导体部的所述表面以及所述第二绝缘层的所述上表面相接的第二半导体部； 在所述开口中局部地去除所述第二半导体部而形成凹部； 通过向所述第一半导体部以及所述第二半导体部注入杂质元素，形成与多个所述牺牲层的所述最上层重叠的杂质半导体区域； 通过去除多个所述牺牲层并在被去除的部分形成导电层，从而形成设于源极线的上方并且连接于第一选择晶体管的栅极的第一选择栅极线、设于所述第一选择栅极线的上方并且连接于存储器晶体管的栅极的字线、及设于所述字线的上方并且连接于第二选择晶体管的栅极的第二选择栅极线。

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