中国科学院半导体研究所郑婉华获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利一种半导体激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116093740B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111317942.9，技术领域涉及：H01S5/20；该发明授权一种半导体激光器及其制备方法是由郑婉华;李晶;王海玲;渠红伟设计研发完成，并于2021-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体激光器，包括：依次生长在衬底上的第一限制层、有源层、第二限制层及波导层，其中，波导层上表面部分刻蚀形成主振荡结构，另一部分刻蚀形成功率放大结构，其中，主振荡结构与功率放大结构之间设置电隔离区，主振荡结构用于产生种子源，功率放大结构用于将种子源进行功率放大后输出；其中，主振荡结构包括至少一组光子晶体结构，和或功率放大结构包括至少一组光子晶体结构；光子晶体结构用于将多模的种子源转换为单模的种子源。本公开还提供了一种半导体激光器的制备方法。
本发明授权一种半导体激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体激光器，其特征在于，包括： 依次生长在衬底20上的第一限制层30、有源层40、第二限制层50及波导层60，其中， 所述波导层60上表面部分刻蚀形成主振荡结构61，另一部分刻蚀形成功率放大结构62，其中，所述主振荡结构61与所述功率放大结构62之间设置电隔离区，所述主振荡结构61用于产生种子源，所述功率放大结构62用于将所述种子源进行功率放大后输出； 其中，所述主振荡结构61包括至少一组光子晶体结构63，或所述主振荡结构61包括至少一组光子晶体结构63且所述功率放大结构62包括至少一组光子晶体结构63；所述主振荡结构61的至少一组光子晶体结构63用于将多模的种子源转换为单模的种子源； 所述主振荡结构61为脊型波导结构或倒锥形波导结构；所述功率放大结构62为锥形波导结构或双蝶形波导结构；所述主振荡结构61与所述功率放大结构62邻近的一端宽度相等。
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