株式会社村田制作所岛本健一获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社村田制作所申请的专利功率放大电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116094470B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211299197.4，技术领域涉及：H03F1/32；该发明授权功率放大电路是由岛本健一设计研发完成，并于2022-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本功率放大电路在说明书摘要公布了：提供一种功率放大电路，抑制线性度的下降。包括：在第一模式及第二模式的情况下向第一放大器赋予偏置的第一偏置电路；以及在第二模式的情况下向第二放大器赋予偏置的第二偏置电路。第一偏置电路包括：集电极与电源电位连接、发射极与第一放大器连接、基极与电流源连接的第一晶体管；以及被二极管连接且连接在第一晶体管的基极与基准电位之间的第二晶体管及第三晶体管。第二偏置电路包括：集电极与电源电位连接、发射极与第二放大器连接、基极与电流源连接的第四晶体管；以及基极与第四晶体管的发射极连接、集电极与第四晶体管的基极连接、发射极与基准电位连接的第五晶体管。
本发明授权功率放大电路在权利要求书中公布了：1.一种功率放大电路，包括： 第一放大器，其在第一模式及输出功率比所述第一模式相对高的第二模式双方的情况下，将高频信号放大； 第二放大器，其在所述第二模式的情况下，将高频信号放大； 第一偏置电路，其在所述第一模式及所述第二模式双方的情况下，向所述第一放大器赋予偏置；以及 第二偏置电路，其在所述第二模式的情况下，向所述第二放大器赋予偏置， 所述第一偏置电路包括： 第一晶体管，该第一晶体管的集电极与电源电位电连接，该第一晶体管的发射极与所述第一放大器电连接，该第一晶体管的基极与电流源电连接；以及 第二晶体管及第三晶体管，其分别被二极管连接，并且串联连接在所述第一晶体管的基极与基准电位之间， 所述第二偏置电路包括： 第四晶体管，该第四晶体管的集电极与电源电位电连接，该第四晶体管的发射极与所述第二放大器电连接，该第四晶体管的基极与电流源电连接；以及 第五晶体管，该第五晶体管的基极与所述第四晶体管的发射极电连接，该第五晶体管的集电极与所述第四晶体管的基极电连接，该第五晶体管的发射极与基准电位电连接。
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