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龙图腾网获悉上海羲禾科技有限公司申请的专利一种光波导模斑转换装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116243422B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211689044.0，技术领域涉及：G02B6/122；该发明授权一种光波导模斑转换装置及其制造方法是由田斌;冯大增;武爱民设计研发完成，并于2022-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种光波导模斑转换装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请涉及集成光芯片技术领域，特别涉及一种光波导模斑转换装置及其制造方法，该装置包括半导体衬底、下波导、包层和上波导层；包层设置于半导体衬底上；楔形结构的下波导设置于包层内；上波导层设置于包层上，上波导层用于在下波导的小头端与光纤耦合；上波导层的第一折射率小于下波导的第二折射率，且大于包层的第三折射率；上波导层上表面且靠近下波导的小头端处设置有刻蚀条纹；刻蚀条纹基于下波导的小头端的位置设置，并从上波导层的端面沿着下波导的延伸方向延伸；刻蚀条纹用于限制上波导层的端面上的模斑尺寸。可以降低模斑尺寸转换时对楔形波导的小头端尺寸的敏感性；降低光偏振相关损耗；降低工艺难度，降低模斑转换的失配损耗。

本发明授权一种光波导模斑转换装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种光波导模斑转换装置，其特征在于，包括： 半导体衬底、下波导、包层、上波导层和覆盖层； 所述包层设置于所述半导体衬底上； 所述下波导设置于所述包层内，所述下波导为楔形结构，所述下波导的大头端用于与硅光波导连接； 所述上波导层设置于所述包层上，所述上波导层用于在所述下波导的小头端与光纤耦合；所述上波导层的第一折射率小于所述下波导的第二折射率，且大于所述包层的第三折射率； 所述上波导层上表面且靠近所述下波导的小头端处设置有刻蚀条纹；所述刻蚀条纹基于所述下波导的小头端的位置设置，并从所述上波导层的端面沿着所述下波导的延伸方向延伸；所述刻蚀条纹用于限制所述上波导层的所述端面上的模斑尺寸；所述刻蚀条纹的条纹宽度范围为10μm~20μm；所述刻蚀条纹的条纹深度范围为1μm~2μm； 所述覆盖层设置于所述上波导层上，所述覆盖层的第四折射率大于或等于所述上波导层的第一折射率。

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