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龙图腾网获悉瑞昱半导体股份有限公司申请的专利电压模式发射器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116243748B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111490742.3，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权电压模式发射器是由许博豪设计研发完成，并于2021-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本电压模式发射器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种电压模式发射器，包括：一串行器、一前端驱动电路、一驱动电路和一电阻校正电路。串行器用来将一数据转换为一串行数据。前端驱动电路用来驱动所述串行数据。驱动电路包括一切片、一复制切片、一参考电压产生电路、一第一运算放大器和一第二运算放大器。参考电压产生电路耦接在一第一工作电压与一第二工作电压之间且包括一电阻。电阻校正电路用来：利用一第一电流源和一参考电阻产生一参考电压，其中，所述第一电流源为经过一带隙基准电路校正后的电流源；利用一第二电流源流经所述电阻来产生一目标电压；以及根据所述参考电压和所述目标电压调整所述电阻。

本发明授权电压模式发射器在权利要求书中公布了：1.一种电压模式发射器，通过一第一输出引脚和一第二输出引脚输出信号，包括： 一串行器，用来将一数据转换为一串行数据； 一前端驱动电路，耦接所述串行器，用来驱动所述串行数据； 一驱动电路，包括： 一切片，包括一第一晶体管和一第二晶体管，用来提供一输出信号到所述第一输出引脚或所述第二输出引脚； 一复制切片，耦接所述切片，包括一第三晶体管和一第四晶体管，其中，所述第一晶体管的一第一栅极耦接所述第三晶体管的一第三栅极，且所述第二晶体管的一第二栅极耦接所述第四晶体管的一第四栅极； 一参考电压产生电路，耦接在一第一工作电压与一第二工作电压之间且包括一电阻，用来在所述电阻的两端分别产生一第一参考电压和一第二参考电压； 一第一运算放大器，耦接在所述复制切片与所述参考电压产生电路之间，用来接收所述第一参考电压并提供一第一栅极电压到所述第一栅极和所诉第三栅极；以及 一第二运算放大器，耦接在所述复制切片与所述参考电压产生电路之间，用来接收所述第二参考电压并提供一第二栅极电压到所述第二栅极和所述第四栅极；以及 一电阻校正电路，用来： 利用一第一电流源和一参考电阻产生一第三参考电压，其中，所述第一电流源为经过一带隙基准电路校正后的电流源； 利用一第二电流源流经所述电阻来产生一目标电压；以及 根据所述第三参考电压和所述目标电压调整所述电阻。

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