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龙图腾网获悉南京工业大学申请的专利一种葡萄糖传感器的制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116263422B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111520220.3，技术领域涉及：G01N27/414；该发明授权一种葡萄糖传感器的制备方法与应用是由于海东;吕刚;王丽设计研发完成，并于2021-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种葡萄糖传感器的制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种葡萄糖传感器的制备方法与应用，通过在PEDOT:PSS中同时引入离子液体[EMIM][PF6]和DBSA，利用DBSA促进的离子液体在PEDOT:PSS中发生的相分离，形成高导电的离子液体域，制备具有有效的电子和离子传输性能的半导体通道材料。进一步使用叉指电极调控半导体通道长度来制备具有超高跨导的OECT器件。获得的超高跨导OECT对葡萄糖具有灵敏的检测能力。我们的研究结果为制备超高跨导的OECT提供了一种简单而有效的策略，可在不久的将来用于高度灵敏的化学和生物检测。

本发明授权一种葡萄糖传感器的制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种葡萄糖传感器的制备方法，其特征在于，所述传感器包括源极、漏极、半导体通道、栅极；所述源极、漏极为金叉指电极；所述半导体通道材料包括1-丁基-3-甲基-六氟磷酸盐[EMIM][PF6]和十二烷基苯磺酸DBSA共掺杂的聚3,4-乙二氧基噻吩聚苯乙烯磺酸盐PEDOT:PSS；所述栅极为葡萄糖氧化酶GOx和Nafion修饰的铂栅极； 所述葡萄糖传感器的制备方法包括以下步骤： S1、在衬底上通过掩模板辅助溅射铂栅极和金源极、漏极；所述叉指电极的间距为3μm； S2、使用[EMIM][PF6]和DBSA共掺杂的PEDOT:PSS作为半导体通道材料；通道长度为3μm，通道厚度为200nm； S3、使用GOx和Nafion修饰的铂电极作为铂栅极，制得葡萄糖传感器； 所述步骤S2中的半导体通道的制备方法，包括以下步骤： A1、将20wt%[EMIM][PF6]溶液和4wt%DBSA溶液混合到PEDOT:PSS溶液中，剧烈搅拌10min，加入0.5vol.%的甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷GOPS溶液，搅拌2h，制得半导体溶液； A2、取100μL半导体溶液在900rpm转速下旋涂60s，然后在120°C下退火1h，获得200nm的半导体通道薄膜； A3、为了提高器件在测试过程中的稳定性，将2μL5wt%Nafion溶液滴涂在半导体薄膜上形成一层Nafion膜。

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