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龙图腾网获悉合肥大唐存储科技有限公司申请的专利真随机数发生器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116382630B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310340815.3，技术领域涉及：G06F7/58；该发明授权真随机数发生器是由郭锐设计研发完成，并于2023-03-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本真随机数发生器在说明书摘要公布了：一种真随机数发生器，包括：依次连接的噪声源电路、第一放大器、第一隔直电路、第一直流偏置电路、第二放大器、第二隔直电路、第二直流偏置电路、锁存器；所述噪声源电路，设置为产生两路独立的噪声信号；所述第一放大器，设置为分别对两路独立的噪声信号进行放大；所述第一隔直电路，设置为隔离直流信号；所述第一直流偏置电路，设置为给所述第二放大器提供直流偏置；所述第二放大器，设置为对经过放大后的两路独立的噪声信号再次进行放大；所述第二隔直电路，设置为隔离直流信号；所述第二直流偏置电路，设置为给所述锁存器提供直流偏置；所述锁存器，设置为对所述从第二隔直电路输入的信号进行大小判断，根据判断结果输出真随机数。

本发明授权真随机数发生器在权利要求书中公布了：1.一种真随机数发生器，其特征在于，包括： 依次连接的噪声源电路、第一放大器、第一隔直电路、第一直流偏置电路、第二放大器、第二隔直电路、第二直流偏置电路和锁存器； 所述噪声源电路，设置为产生两路独立的噪声信号； 所述第一放大器的两个输入端与所述噪声源电路的两个输出端一一对应连接，所述第一放大器设置为分别对两路独立的噪声信号进行放大； 所述第一隔直电路的两个输入端与所述第一放大器的两个输出端一一对应连接，所述第一隔直电路设置为隔离放大后的两路独立的噪声信号中的直流信号；所述第一直流偏置电路的两个输出端与所述第二放大器的两个输入端一一对应连接，所述第一直流偏置电路设置为给所述第二放大器提供直流偏置； 所述第二放大器的两个输入端与所述第一隔直电路的两个输出端一一对应连接，设置为对经过隔离和放大后的两路独立的噪声信号再次进行放大； 所述第二隔直电路的两个输入端与所述第二放大器的两个输出端一一对应连接，所述第二隔直电路设置为隔离所述第二放大器放大后的信号中的直流信号； 所述第二直流偏置电路的两个输出端与所述锁存器的两个输入端一一对应连接，所述第二直流偏置电路设置为给所述锁存器提供直流偏置； 所述锁存器，设置为在所述第二直流偏置电路提供的直流偏置的作用下对从所述第二隔直电路输入的信号进行大小判断，根据判断结果输出真随机数； 所述第一放大器和所述第二放大器的电路结构相同； 所述锁存器包括VDD电源、控制时钟、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管和RS触发器； 所述VDD电源分别与第五PMOS管的源极、第六PMOS管的源极、第七PMOS管的源极和第八PMOS管的源极连接；所述第五PMOS管的栅极与所述控制时钟连接；所述第六PMOS管的栅极分别与所述第七PMOS管的漏极、所述第七NMOS管的栅极连接；所述第六PMOS管的漏极分别与所述第七PMOS管的栅极、所述第七NMOS管的漏极连接；所述第五PMOS管的漏极与所述第六PMOS管的漏极连接共同作为RS触发器的第一输入端；所述第八PMOS管的栅极与所述控制时钟连接；所述第八PMOS管的漏极与所述第七PMOS管的漏极连接共同作为所述RS触发器的第二输入端；所述第七NMOS管的源极与所述第五NMOS管的漏极连接；所述第七PMOS管的栅极与所述第八NMOS管的栅极连接；所述第八NMOS管的漏极与所述第七PMOS管的漏极连接。

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