福建省晋华集成电路有限公司苏扬芳获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体元件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116387283B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310245791.3，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权半导体元件及其制造方法是由苏扬芳;夏忠平;刘利晨;钟荣祥设计研发完成，并于2023-03-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体元件及其制造方法，包括选择性地移除与第一互连结构同时形成在第一介质层中的第一对准结构，显露出定义在第一介质层中的第一对准沟槽。接着，于第一介质层上形成一导电层，其中导电层填入第一对准沟槽的部分形成第二对准结构，然后用第二对准结构作为对准标记进行微影暨蚀刻工艺，将导电层图案化成第二互连结构。本发明的方法可在第一互连结构和第二互连结构之间获得较佳的对准精确度。
本发明授权半导体元件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 于所述衬底上形成第一介质层； 于所述第一介质层中形成由第一导电层构成的第一互连结构和第一对准结构； 进行第一微影暨蚀刻工艺，移除所述第一对准结构，显露出第一对准沟槽； 形成第二导电层覆盖所述第一介质层和所述第一互连结构并填入所述第一对准沟槽，形成第二对准结构，其中位于所述第一对准沟槽的上方的所述第二对准结构的上部包括第二对准沟槽； 进行第二微影暨蚀刻工艺，移除所述第二对准结构的所述上部以及刻蚀部分所述第一介质层至预定深度，显露出位于所述第一对准沟槽中的所述第二对准结构的下部；所述第二对准结构的下部与所述第一介质层之间具有预定阶梯差，所述第二对准结构的下部的顶面低于所述第一互连结构的顶面；以及 进行第三微影暨蚀刻工艺，以所述第二对准结构的下部作为对准标记，将所述第二导电层图案化成第二互连结构，其中所述第一互连结构和所述第二互连结构电性接触。
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