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龙图腾网获悉中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利一种薄膜处理装置及其方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116411258B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111653272.8，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权一种薄膜处理装置及其方法是由姜勇;庞云玲;闫韬;陈恩毅设计研发完成，并于2021-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种薄膜处理装置及其方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种薄膜处理装置及其方法，该装置包含：反应腔室、进气隔板和排气隔板；进气法兰组件，其包含多个与反应空间对应的主反应气体喷口和与净化空间对应的辅助气体喷口；气体导流组件，其包含多个与进气隔板的辅助气体进气通道连通的辅助气体导流管道，各辅助气体导流管道中的气流独立可调；主反应气体经主反应气体喷口输送到反应空间，辅助气体经辅助气体喷口、辅助气体导流管道、辅助气体进气通道导入进气隔板上方。其优点是：该装置中主反应气体和辅助气体在进入晶圆处理区域之前已开始了混合过程，结合对各辅助气体导流管道内的辅助气体的独立调控，以实现对混合气体组分均匀性的精确调控，有利于获得更好的成膜均匀度和薄膜质量。

本发明授权一种薄膜处理装置及其方法在权利要求书中公布了：1.一种薄膜处理装置，其特征在于，包含： 纵长形反应腔室，由反应腔室顶壁、底壁和两侧壁围绕而成，还包括一进气端开口和一排气端开口； 反应腔室内靠近所述进气端开口和排气端开口处分别设置有进气隔板和排气隔板，将反应腔室分隔为上方的反应空间和下方的净化空间； 所述进气隔板上方为进气区域，排气隔板上方为排气区域，进气区域、排气区域之间的晶圆处理区域用于容纳承载晶圆的基座以进行薄膜沉积工艺； 一进气法兰组件，设置在所述进气端开口处，其包括多个与所述反应空间对应的主反应气体喷口，以向下游的晶圆处理区域喷出主反应气体； 所述进气法兰组件还包括设置在所述主反应气体喷口下方的辅助气体喷口，与所述净化空间对应； 进气隔板下方还包括一气体导流组件，气体导流组件包括多个沿纵长方向延伸的第一辅助气体导流管道，所述第一辅助气体导流管道设置在辅助气体喷口和晶圆处理区域之间，多个所述第一辅助气体导流管道中的气流独立可调；所述第一辅助气体导流管道通过设置在进气隔板上的辅助气体进气通道向上连通到进气隔板上方，所述辅助气体进气通道的排气口位于所述进气隔板的上表面； 辅助气体依次经进气法兰组件的辅助气体喷口、气体导流组件的第一辅助气体导流管道、进气隔板的辅助气体进气通道和排气口导入进气隔板上方的反应空间中，所述反应空间内辅助气体的进入方向与主反应气体的输送方向之间有夹角。

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