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龙图腾网获悉北京工业大学申请的专利一种利用空位缺陷调节过渡金属硫族化合物宽光谱探测的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116924352B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310769296.2，技术领域涉及：C01B19/04；该发明授权一种利用空位缺陷调节过渡金属硫族化合物宽光谱探测的方法是由张永哲;马洋;李景涛设计研发完成，并于2023-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种利用空位缺陷调节过渡金属硫族化合物宽光谱探测的方法在说明书摘要公布了：一种利用空位缺陷调节过渡金属硫族化合物宽光谱探测的方法，属于二维材料领域。本方法采用过渡金属氧化物作为金属源，两种不同的硫族元素作为硫源，使用化学气相沉积的方法生长出元素均匀分布的单层三元过渡金属硫族化合物。利用合金元素之间化学键的稳定性差异，通过氢气辅助退火的方式使不稳定的化学键断裂，产生的硫族元素空位缺陷均匀分布在三元过渡金属硫族化合物中。硫族元素空位缺陷在过渡金属硫族化合物的导带和价带之间引入缺陷能级，产生新的光致发光峰，拓宽了其光谱探测范围。该实验方法工艺简单，重复性好，对缺陷的种类、分布和数量能进行精确调控，适合大规模生产。

本发明授权一种利用空位缺陷调节过渡金属硫族化合物宽光谱探测的方法在权利要求书中公布了：1.一种利用缺陷工程制备能够宽光谱探测的过渡金属硫族化合物的方法，其特征在于，通过化学气相沉积法生长元素均匀分布的三元过渡金属硫族化合物，所述三元过渡金属硫族化合物是由两种硫族元素和金属元素Mo或和W组成，利用元素之间化学键的稳定性差异，再通过氢气辅助退火的方式，使稳定性差的化学键断裂，产生硫族元素空位缺陷均匀分布的三元过渡金属硫族化合物，在三元过渡金属硫族化合物合金的导带与价带之间引入缺陷能级，出现新的PL峰，使其能够进行相对更宽光谱探测； 具体包括以下步骤： 1对生长衬底表面进行清洗； 2盐的制备，将大颗粒的盐用研钵研磨成粉末，并称取一定质量的盐；称量一定质量的过渡金属源粉末作为金属源； 3称量一定质量的两种硫族元素粉末，使其按照一定的比例倒入离心管中，并搅拌均匀，称取一定质量的硫族元素混合粉末作为硫源； 4将称量好的过渡金属源粉末和盐粉末转移到刚玉舟中，并进行混合，将生长衬底放置于过渡金属源上方，且抛光面朝下用于生长三元合金，然后用炉钩将刚玉舟推至管式炉的中心温区位置；将称量好的硫族元素混合粉末倒入玻璃小舟中，将玻璃小舟置于载气流向上游的低温区，距离管式炉中心位置一定的距离；载气从管式炉一端进入，另一端排出； 5化学气相沉积反应过程中，以惰性气体作为载气，管式炉中心的温度按时间段设定如下：温度分为三个阶段，第一阶段是通入载气进行管式炉内排气阶段，第二阶段三元合金的生长阶段，是在通入载气的条件下按照一定的升温速率升温，然后达到一定的温度T2并在此温度下保温一段时间，在此升温过程达到T1温度时开始通入氢气直至生长结束；第三阶段是自然降温阶段； 6样品的退火；取出样品进行Raman与PL表征，表征完成后，将生长有样品的面朝上，斜搭放入干净的刚玉舟中，并将刚玉舟放入干净的石英管中，依次对石英管进行洗气，通入惰性气体和氢气，炉子加热，保温一段的时间后，自然降温。

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