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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种准二维钙钛矿蓝光LED的晶体取向机理调控研究方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119546150B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411782230.8，技术领域涉及：H10K71/15；该发明授权一种准二维钙钛矿蓝光LED的晶体取向机理调控研究方法是由钟建;程登科;周志鹏;郭海宏;于军胜设计研发完成，并于2024-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种准二维钙钛矿蓝光LED的晶体取向机理调控研究方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种准二维钙钛矿蓝光LED的晶体取向机理调控研究方法，属于显示技术领域，本申请首先建立准二维蓝光钙钛矿垂直生长的理论模型，构建理论基础，然后通过实验，分析不同的基板和反溶剂温度以及衬底组装工艺等寻找不同成膜工艺对准二维蓝光钙钛矿结晶取向的影响，解决基板和反溶剂温度温度阻碍准二维蓝光钙钛矿发光二极管的激子辐射复合的问题，最后通过分析不同结晶取向对蓝光PeLEDs性能的影响来选择更加适合的工艺，并制备高性能蓝光PeLEDs器件，本申请通过在不同条件、结构和工艺下准二维蓝光钙钛矿结晶取向不同，以及晶体取向不同对于对准二维蓝光PeLEDs性能的影响进行完整的实验，并研制出蓝光PeLEDs器件。

本发明授权一种准二维钙钛矿蓝光LED的晶体取向机理调控研究方法在权利要求书中公布了：1.一种准二维蓝光钙钛矿LED的结晶取向及其调控机理研究方法，包括以下步骤： 步骤1：建立钙钛矿晶体生长过程模型，分析准二维钙钛矿的精细结构和形貌特征，研究成膜工艺调控钙钛矿晶体生长的理论模型和内在机制； 步骤2：通过调试基板、反溶剂温度条件，探究有机长链阳离子与三维晶体之间的相互作用对晶体取向的影响； 步骤3：利用自组装、增润方法对衬底层进行改性修饰，探究不同衬底层表面特性对准二维钙钛矿生长取向的影响； 步骤4：结合理论模拟计算，改变材料结晶的不同取向参数，验证准二维钙钛矿结晶取向的生长机理； 步骤5：由于在准二维钙钛矿结晶质量和结晶取向改变时，钙钛矿薄膜的部分物理特性也会随之改变，通过实验探究多种生长条件对钙钛矿晶体结构、缺陷态、电荷传输、光物理特征的变化规律； 步骤6：通过对于生长条件引起的钙钛矿晶体的变化规律的测试，筛选出对器件性能提升有积极作用的准二维钙钛矿结构，并与对应蓝光器件的效率建立相互联系； 步骤7：通过界面调控和工艺优化和调控钙钛矿垂直生长的制备工艺，调控准二维钙钛矿垂直取向的晶体生长，促进载流子在功能层界面以及发光层内传输，研制蓝光PeLEDs器件； 步骤1的具体步骤如下： 步骤1.1：建立并完善基于晶体垂直生长的准二维钙钛矿蓝光器件的理论模型，采用多晶薄膜结晶的岛状生长模型、钙钛矿界面生长模型以及载流子传输模型建立准二维钙钛矿中无机晶体垂直生长的动力学模型； 步骤1.2：仿真在不同成膜工艺中，基板温度对蓝光准二维钙钛矿薄膜的结晶取向性的影响； 步骤1.3：进行准二维钙钛矿晶体生长机制与晶体生长热动学的内在规律的研究，形成准二维钙钛矿的有机配体大多含有饱和长链，限制无机骨架间的电荷传输，构筑与衬底相垂直的晶体取向。

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